Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
256521 | BD38933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256522 | BD38933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256523 | BD39931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256524 | BD39931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256525 | BD39933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256526 | BD39933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256527 | BD40931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256528 | BD40931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256529 | BD410 | Transistor De Puissance Épitaxial De Silicium de NPN | Continental Device India Limited |
256530 | BD411 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Fairchild Semiconductor |
256531 | BD41931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256532 | BD41931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
256533 | BD4201FV | IC De Protection De Batterie | ROHM |
256534 | BD424 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
256535 | BD429 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Siemens |
256536 | BD430 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
256537 | BD433 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256538 | BD433 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256539 | BD433 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256540 | BD433 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256541 | BD433 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
256542 | BD433 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
256543 | BD433 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
256544 | BD433 | 36.000W NPN Transistor plastique plomb. 22V VCEO, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
256545 | BD433 | Puissance moyenne en silicium transistor NPN plastique. 4 A, 22 V. | Motorola |
256546 | BD433S | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256547 | BD434 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256548 | BD434 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256549 | BD434 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256550 | BD434 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256551 | BD434 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
256552 | BD434 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
256553 | BD434 | 36.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 22V VCEO, 4.000A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
256554 | BD434 | Transistor moyen plastique puissance de silicium de PNP. 4 A, 22 V. | Motorola |
256555 | BD434S | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256556 | BD434STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256557 | BD435 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256558 | BD435 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256559 | BD435 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256560 | BD435 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
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