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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
4292128LV256SM-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
4292228LV256SM-5Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292328LV256SM-5CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.Turbo IC
4292428LV256SM-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292528LV256SM-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
4292628LV256TC-3Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292728LV256TC-3CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.Turbo IC
4292828LV256TC-4Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292928LV256TC-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
4293028LV256TC-5Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293128LV256TC-5CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.Turbo IC
4293228LV256TC-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293328LV256TC-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
4293428LV256TI-3Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293528LV256TI-3CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.Turbo IC
4293628LV256TI-4Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293728LV256TI-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
4293828LV256TI-5Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC



4293928LV256TI-5CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.Turbo IC
4294028LV256TI-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294128LV256TI-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
4294228LV256TM-3Vitesse: 200 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294328LV256TM-3CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 200 ns.Turbo IC
4294428LV256TM-4Vitesse: 250 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294528LV256TM-4CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 250 ns.Turbo IC
4294628LV256TM-5Vitesse: 300 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294728LV256TM-5CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 300 ns.Turbo IC
4294828LV256TM-6Vitesse: 400 ns, basse tension CMOS 256 K effaçable électriquement 32K de ROM programmable x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294928LV256TM-6CMOS basse tension. 256K ROM programmable effaçable électriquement. 32K x 8 bits EEPROM. Le temps d'accès de 400 ns.Turbo IC
4295028LV6464CK-BIT CMOS EEPROM PARALLÈLECatalyst Semiconductor
4295128LV64ANote:This product has become 'Obsolete' and is no longer offered as a viable device for design.28LV64A is a 64K bit CMOS Parallel EEPROM organized as 8K words by 8 bits. The 28LV64A is accessed like a static RAM for the read orMicrochip
4295228LV64A-20/L64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295328LV64A-20/P64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295428LV64A-20/SO64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295528LV64A-20/TS64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295628LV64A-20/VS64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295728LV64A-20I/L64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295828LV64A-20I/P64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4295928LV64A-20I/SO64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
4296028LV64A-20I/TS64K (basse tension CMOS EEPROM de 8K X 8)Microchip
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