| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 47481 | 2N5416 | Haute tension à transistor PNP de silicium plane. | General Electric Solid State |
| 47482 | 2N5416CSM4 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE De PNP DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 47483 | 2N5416S | Transistor de PNP | Microsemi |
| 47484 | 2N5425 | SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/Amplitiers | Fairchild Semiconductor |
| 47485 | 2N5427 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47486 | 2N5427 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47487 | 2N5428 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47488 | 2N5428 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47489 | 2N5429 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47490 | 2N5429 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47491 | 2N5430 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47492 | 2N5430 | TRANSISTOR MOYEN DE SILICIUM DE LA PUISSANCE NPN | SemeLAB |
| 47493 | 2N5430 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47494 | 2N5431 | MU4893 | Central Semiconductor |
| 47495 | 2N5431 | MU4893 | Central Semiconductor |
| 47496 | 2N5431 | Silicon annulaire de transistor de unijinction PN. | Motorola |
| 47497 | 2N5432 | Commutateur | Vishay |
| 47498 | 2N5432 | À canal N de l'interrupteur JFET. | Intersil |
| 47499 | 2N5433 | Commutateur | Vishay |
| 47500 | 2N5433 | À canal N de l'interrupteur JFET. | Intersil |
| 47501 | 2N5434 | Commutateur | Vishay |
| 47502 | 2N5434 | Commutateur Du N-Canal JFET | Calogic |
| 47503 | 2N5434 | À canal N de l'interrupteur JFET. | Intersil |
| 47504 | 2N5441 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47505 | 2N5441 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47506 | 2N5441 | Triac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. Crête répétitif tension de 200 V. à l'état bloqué | Motorola |
| 47507 | 2N5442 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47508 | 2N5442 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47509 | 2N5442 | Triac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 400 V. | Motorola |
| 47510 | 2N5443 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47511 | 2N5443 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47512 | 2N5443 | Triac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 600 V. | Motorola |
| 47513 | 2N5444 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47514 | 2N5444 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47515 | 2N5444 | Triac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. Crête répétitif tension de 200 V. à l'état bloqué | Motorola |
| 47516 | 2N5445 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47517 | 2N5445 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47518 | 2N5445 | Triac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 400 V. | Motorola |
| 47519 | 2N5446 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| 47520 | 2N5446 | Triacs Du Silicium 40-A | General Electric Solid State |
| | | |
