| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 47681 | 2N5550 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION TOUT USAGE DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 47682 | 2N5550 | Transistors D'Amplificateur | Motorola |
| 47683 | 2N5550 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47684 | 2N5550 | Petit Amplificateur NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 47685 | 2N5550 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
| 47686 | 2N5550 | Transistor planaire d'Expitaxial de silicium de NPN pour applications tout usage/à haute tension d'amplificateur | Semtech |
| 47687 | 2N5550 | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 140V VCEO, 0.600A Ic, 60 HFE - | Continental Device India Limited |
| 47688 | 2N5550 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 140V = VCEO. Tension collecteur-base: 160V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47689 | 2N5550-D | Silicium Des Transistors NPN D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 47690 | 2N5550BU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47691 | 2N5550RLRA | Petit Amplificateur NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 47692 | 2N5550RLRP | Petit Amplificateur NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 47693 | 2N5550S | Transistor À haute tension | Korea Electronics (KEC) |
| 47694 | 2N5550TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47695 | 2N5550TAR | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47696 | 2N5550TF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47697 | 2N5550TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47698 | 2N5550_D26Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47699 | 2N5550_J24Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47700 | 2N5551 | Transistors à haute tension de NPN | Philips |
| 47701 | 2N5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | National Semiconductor |
| 47702 | 2N5551 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47703 | 2N5551 | Transistor À haute tension | Korea Electronics (KEC) |
| 47704 | 2N5551 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | Honey Technology |
| 47705 | 2N5551 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION TOUT USAGE DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 47706 | 2N5551 | Transistor de silicium de NPN (application à haute tension d'amplificateur tout usage) | AUK Corp |
| 47707 | 2N5551 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE HAUTE TENSION DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 47708 | 2N5551 | Transistors D'Amplificateur | Motorola |
| 47709 | 2N5551 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47710 | 2N5551 | Petit Amplificateur NPN De Signal | ON Semiconductor |
| 47711 | 2N5551 | Transistor planaire d'Expitaxial de silicium de NPN pour applications tout usage/à haute tension d'amplificateur | Semtech |
| 47712 | 2N5551 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 0.600A Ic, 80 HFE - | Continental Device India Limited |
| 47713 | 2N5551 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 160V = VCEO. Tension collecteur-base: 180V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47714 | 2N5551BU | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47715 | 2N5551C | Transistor À haute tension | Korea Electronics (KEC) |
| 47716 | 2N5551CBU | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47717 | 2N5551CTA | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47718 | 2N5551HR | Salut-Rel transistor bipolaire NPN 160 V, 0,5 A | ST Microelectronics |
| 47719 | 2N5551HRG | Salut-Rel transistor bipolaire NPN 160 V, 0,5 A | ST Microelectronics |
| 47720 | 2N5551HRT | Salut-Rel transistor bipolaire NPN 160 V, 0,5 A | ST Microelectronics |
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