| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 47841 | 2N5657 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 47842 | 2N5657 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47843 | 2N5657 | Ç$a 350V NPN De Puissance | ON Semiconductor |
| 47844 | 2N5659 | TRANSISTOR À GRANDE VITESSE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 47845 | 2N5659 | TRANSISTOR À GRANDE VITESSE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 47846 | 2N5660 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47847 | 2N5661 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47848 | 2N5662 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47849 | 2N5663 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47850 | 2N5663 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 47851 | 2N5664 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47852 | 2N5664 | Polarité NPN De la Géométrie 9221 Du Type 2C5664 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 47853 | 2N5664SMD | TRANSISTOR BIPOLAIRE De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De REL | SemeLAB |
| 47854 | 2N5665 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47855 | 2N5665 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47856 | 2N5666 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47857 | 2N5666 | Polarité NPN De la Géométrie 9221 Du Type 2C5664 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 47858 | 2N5666S | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47859 | 2N5667 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47860 | 2N5667S | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47861 | 2N5671 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47862 | 2N5671 | PUISSANCE TRANSISTORS(30a, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47863 | 2N5671 | Haute-courant, de forte puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
| 47864 | 2N5672 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 47865 | 2N5672 | PUISSANCE TRANSISTORS(30a, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 47866 | 2N5672 | Haute-courant, de forte puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
| 47867 | 2N5675 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 47868 | 2N5675 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 47869 | 2N5679 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 47870 | 2N5679 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE PNP/npn | Boca Semiconductor Corporation |
| 47871 | 2N5679 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
| 47872 | 2N5679 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47873 | 2N5679 | 10.000W haute tension PNP métal peut transistor. 100V VCEO, 1.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47874 | 2N5679 | 1.0 Amp 10 watts NPN-PNP puissance complémentaire. | Fairchild Semiconductor |
| 47875 | 2N5680 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 47876 | 2N5680 | TRANSISTORS À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE PNP/npn | Boca Semiconductor Corporation |
| 47877 | 2N5680 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
| 47878 | 2N5680 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47879 | 2N5680 | 10.000W haute tension PNP métal peut transistor. 120V VCEO, 1.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47880 | 2N5680 | 1.0 Amp 10 watts NPN-PNP puissance complémentaire. | Fairchild Semiconductor |
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