| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53721 | 2SC2946(1) | Transistor de silicium | NEC |
| 53722 | 2SC29461 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
| 53723 | 2SC2951 | L'ASI 2SC2951 est un transistor à haute fréquence conçu pour des applications tout usage d'oscillateur jusqu'à 10 gigahertz. | Advanced Semiconductor |
| 53724 | 2SC2951 | L'ASI 2SC2951 est un transistor à haute fréquence conçu pour des applications tout usage d'oscillateur jusqu'à 10 gigahertz. | Advanced Semiconductor |
| 53725 | 2SC2952 | Le 2SC2592 est un transistor à haute fréquence conçupour des applications tout usage d'amplificateur de VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53726 | 2SC2952 | Le 2SC2592 est un transistor à haute fréquence conçupour des applications tout usage d'amplificateur de VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53727 | 2SC2954 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
| 53728 | 2SC2954-T1 | Pour Amplifier haute fréquence, à faible bruit et à large bande. | NEC |
| 53729 | 2SC2954-T2 | Pour Amplifier haute fréquence, à faible bruit et à large bande. | NEC |
| 53730 | 2SC2958 | Transistor de silicium | NEC |
| 53731 | 2SC2958-T | Transistor de silicium | NEC |
| 53732 | 2SC2959 | Transistor de silicium | NEC |
| 53733 | 2SC2959-T | Transistor de silicium | NEC |
| 53734 | 2SC2960 | Applications À grande vitesse De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
| 53735 | 2SC2979 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53736 | 2SC2979 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53737 | 2SC2979 | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 800v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53738 | 2SC2979 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53739 | 2SC2982 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) d'applications instantanées épitaxiales de Storobo | TOSHIBA |
| 53740 | 2SC2983 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 53741 | 2SC2987 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53742 | 2SC2987 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53743 | 2SC2987 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53744 | 2SC2987 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53745 | 2SC2987A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53746 | 2SC2987A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53747 | 2SC2987A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53748 | 2SC2987A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 53749 | 2SC2988 | Transistors (guide de choix par Applications et fonctions) | Panasonic |
| 53750 | 2SC2995 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) FM/am rf, MÉLANGE, OSCILLATEUR, SI applications à haute fréquence d'amplificateur | TOSHIBA |
| 53751 | 2SC2996 | Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) FM/am rf, MÉLANGE, local, SI applications à haute fréquence d'amplificateur | TOSHIBA |
| 53752 | 2SC2999 | Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur d'À haute fréquence De Transistor De Silicium de NPN | SANYO |
| 53753 | 2SC3000 | Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur d'À haute fréquence De Transistor De Silicium de NPN | SANYO |
| 53754 | 2SC3001 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53755 | 2SC3006 | TRANSISTOR (APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE BANDE) | TOSHIBA |
| 53756 | 2SC3007 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 53757 | 2SC3007 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 53758 | 2SC3007 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 53759 | 2SC3011 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type UHF~c Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 53760 | 2SC3012 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
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