| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601721 | K6T4008U1C-TB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601722 | K6T4008U1C-TB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601723 | K6T4008U1C-TB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601724 | K6T4008U1C-TF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601725 | K6T4008U1C-TF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601726 | K6T4008U1C-TF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601727 | K6T4008U1C-VB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601728 | K6T4008U1C-VB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601729 | K6T4008U1C-VB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601730 | K6T4008U1C-VF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601731 | K6T4008U1C-VF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601732 | K6T4008U1C-VF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601733 | K6T4008U1C-YB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601734 | K6T4008U1C-YB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601735 | K6T4008U1C-YB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601736 | K6T4008U1C-YF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601737 | K6T4008U1C-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601738 | K6T4008U1C-YF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601739 | K6T4008V1B, K6T4008U1B FAMILY | 512K X basse puissance de 8 bits et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601740 | K6T4008V1C | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601741 | K6T4008V1C FAMILY | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601742 | K6T4008V1C, K6T4008U1C FAMILY | 512K X basse puissance de 8 bits et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601743 | K6T4008V1C-B | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601744 | K6T4008V1C-F | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601745 | K6T4008V1C-GB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601746 | K6T4008V1C-GB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601747 | K6T4008V1C-GF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601748 | K6T4008V1C-GF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601749 | K6T4008V1C-MB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601750 | K6T4008V1C-MB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601751 | K6T4008V1C-MF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601752 | K6T4008V1C-MF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601753 | K6T4008V1C-TB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601754 | K6T4008V1C-TB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601755 | K6T4008V1C-TF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601756 | K6T4008V1C-TF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601757 | K6T4008V1C-VB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601758 | K6T4008V1C-VB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601759 | K6T4008V1C-VF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601760 | K6T4008V1C-VF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
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