| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601921 | K6X4008C1F-VF55 | du peu 512Kx8 pleine CMOS RAM de charge statique de la basse puissance | Samsung Electronic |
| 601922 | K6X4008C1F-VF70 | du peu 512Kx8 pleine CMOS RAM de charge statique de la basse puissance | Samsung Electronic |
| 601923 | K6X4008C1F-VQ55 | du peu 512Kx8 pleine CMOS RAM de charge statique de la basse puissance | Samsung Electronic |
| 601924 | K6X4008C1F-VQ70 | du peu 512Kx8 pleine CMOS RAM de charge statique de la basse puissance | Samsung Electronic |
| 601925 | K6X4008T1F | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601926 | K6X4008T1F-B | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601927 | K6X4008T1F-F | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601928 | K6X4008T1F-GB55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601929 | K6X4008T1F-GB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601930 | K6X4008T1F-GB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601931 | K6X4008T1F-GF55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601932 | K6X4008T1F-GF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601933 | K6X4008T1F-GF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601934 | K6X4008T1F-GQ70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601935 | K6X4008T1F-GQ85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601936 | K6X4008T1F-MB55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601937 | K6X4008T1F-MB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601938 | K6X4008T1F-MB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601939 | K6X4008T1F-MF55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601940 | K6X4008T1F-MF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601941 | K6X4008T1F-MF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601942 | K6X4008T1F-Q | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601943 | K6X4008T1F-VB55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601944 | K6X4008T1F-VB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601945 | K6X4008T1F-VB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601946 | K6X4008T1F-VF55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601947 | K6X4008T1F-VF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601948 | K6X4008T1F-VF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601949 | K6X4008T1F-VQ70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601950 | K6X4008T1F-VQ85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601951 | K6X4008T1F-YB55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601952 | K6X4008T1F-YB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601953 | K6X4008T1F-YB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601954 | K6X4008T1F-YF55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601955 | K6X4008T1F-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601956 | K6X4008T1F-YF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601957 | K6X4008T1F-YQ70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601958 | K6X4008T1F-YQ85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601959 | K6X4016C3F | du peu 256Kx16 pleine CMOS RAM de charge statique de la basse puissance | Samsung Electronic |
| 601960 | K6X4016C3F-B | du peu 256Kx16 pleine CMOS RAM de charge statique de la basse puissance | Samsung Electronic |
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