| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601761 | K6T4008V1C-YB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601762 | K6T4008V1C-YB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601763 | K6T4008V1C-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601764 | K6T4008V1C-YF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 512Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601765 | K6T4016U3C | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601766 | K6T4016U3C-B | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601767 | K6T4016U3C-F | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601768 | K6T4016U3C-RB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601769 | K6T4016U3C-RB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601770 | K6T4016U3C-RB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601771 | K6T4016U3C-RF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601772 | K6T4016U3C-RF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601773 | K6T4016U3C-RF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601774 | K6T4016U3C-TB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601775 | K6T4016U3C-TB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601776 | K6T4016U3C-TB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601777 | K6T4016U3C-TF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601778 | K6T4016U3C-TF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601779 | K6T4016U3C-TF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601780 | K6T4016V3B, K6T4016U3B FAMILY | basse puissance du peu 256Kx16 et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601781 | K6T4016V3C | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601782 | K6T4016V3C, K6T4016U3C FAMILY | basse puissance du peu 256Kx16 et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601783 | K6T4016V3C, K6T4016U3C FAMILY | basse puissance du peu 256Kx16 et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601784 | K6T4016V3C-B | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601785 | K6T4016V3C-F | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601786 | K6T4016V3C-RB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601787 | K6T4016V3C-RB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601788 | K6T4016V3C-RB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601789 | K6T4016V3C-RF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601790 | K6T4016V3C-RF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601791 | K6T4016V3C-RF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601792 | K6T4016V3C-TB10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601793 | K6T4016V3C-TB55 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601794 | K6T4016V3C-TB70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601795 | K6T4016V3C-TB85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601796 | K6T4016V3C-TF10 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601797 | K6T4016V3C-TF70 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601798 | K6T4016V3C-TF85 | RAM de charge statique de basse puissance du peu 256Kx16 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601799 | K6T4016V4C, K6T4016U4C FAMILY | basse puissance du peu 256Kx16 et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601800 | K6T8008C2M FAMILY | basse puissance du peu 1Mx8 et basse fiche technique statique de RAM de la tension CMOS | Samsung Electronic |
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