| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 881201 | MJ21193-D | Transistors De Puissance De Silicium | ON Semiconductor |
| 881202 | MJ21194 | Puissance 1Ã 250V NPN | ON Semiconductor |
| 881203 | MJ21194 | Transistor de puissance de silicium | Motorola |
| 881204 | MJ21195 | Puissance, 1Ã, 250V, PNP | ON Semiconductor |
| 881205 | MJ21195-D | Transistors De Puissance De Silicium | ON Semiconductor |
| 881206 | MJ21196 | Puissance, 1Ã, 250V, NPN | ON Semiconductor |
| 881207 | MJ2194 | transistors de puissance complémentaires de silicium de 16 ampères 250 volts 250 watts | Motorola |
| 881208 | MJ2253 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO66. | SemeLAB |
| 881209 | MJ2253 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO66. | SemeLAB |
| 881210 | MJ2400 | Puissance ICs/Contrôleurs Courants D'Irruption (Série de MJ) | Shindengen |
| 881211 | MJ2400 | Contrôleur de courant d'appel | Shindengen |
| 881212 | MJ2500 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 10 DE L'CAmpère DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE 60,80 VOLTS 150 WATTS | Motorola |
| 881213 | MJ2500 | 60V silicium épitaxiale base Darlington | Comset Semiconductors |
| 881214 | MJ2501 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 881215 | MJ2501 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881216 | MJ2501 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881217 | MJ2501 | 80V silicium épitaxiale base Darlington | Comset Semiconductors |
| 881218 | MJ2501 | Transistor de silicium complémentaire de moyenne puissance | Motorola |
| 881219 | MJ2501 | Moyen-Power complémentaires Silicon Transistors | ON Semiconductor |
| 881220 | MJ2501-D | Transistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance | ON Semiconductor |
| 881221 | MJ2812 | 32 MOTS X MÉMOIRE De 8 BITS Fifo | Zarlink Semiconductor |
| 881222 | MJ2955 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 881223 | MJ2955 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881224 | MJ2955 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881225 | MJ2955 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881226 | MJ2955 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | Boca Semiconductor Corporation |
| 881227 | MJ2955 | C.c PLANAIRE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU SILICIUM TRANSISTOR(audio DE PNP AU CONVERTISSEUR DE C.c) | Wing Shing Computer Components |
| 881228 | MJ2955 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881229 | MJ2955 | Ç$ä 60V PNP Discret De Puissance | ON Semiconductor |
| 881230 | MJ2955 | 115.000W puissance PNP métal peut transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881231 | MJ2955 | Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -100V, 150W. | General Electric Solid State |
| 881232 | MJ2955 | Transistor de puissance de silicium complémentaire | Motorola |
| 881233 | MJ2955 | Transistor PNP de puissance élevée. Conçu pour la commutation d'usage général et de l'application de l'amplificateur. VCEO = 60 V cc, VceR = 70Vdc, Vcb = 100 V CC Ic = 15Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 881234 | MJ2955A | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä) | MOSPEC Semiconductor |
| 881235 | MJ2955A | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
| 881236 | MJ2955A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 15 AMPÈRES 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS | Motorola |
| 881237 | MJ3000 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 10 DE L'CAmpère DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE 60,80 VOLTS 150 WATTS | Motorola |
| 881238 | MJ3000 | 60V silicium épitaxiale base Darlington | Comset Semiconductors |
| 881239 | MJ3001 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 881240 | MJ3001 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
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