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K4F170412D-B construit près: |
4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F160412D-F, K4F160412D-B, K4F160411D-F, K4F160411D-B, K4F170411D-B, |
Téléchargement K4F170412D-B datasheet de Samsung Electronic |
pdf 227 kb |
K4F170412D | Vue K4F170412D-B à notre catalogue | K4F170412D-F |