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2SK2880 Vorbei Hergestellt: |
450mW Leiterrahmen J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: -50 V Vgdo, 10mA Ig, 0,3 bis 12 mA Idss. | Download 2SK2880 datasheet von Isahaya Electronics Corporation |
pdf 119 kb |
2SK2879-01 | Ansicht 2SK2880 zu unserem Katalog | 2SK2881 |