|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 284 English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
12SA1235A200mW SMD PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -200mA Ic, 150 bis 500 hFE. Verbessern 2SA1235Isahaya Electronics Corporation
22SA1282FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
32SA1282FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
42SA1282AFÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
52SA1282AFÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
62SA1283SILIKON PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
72SA1283SILIKON PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
82SA1284900mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -100 V Vceo, -500mA Ic, 55-300 hFE. Ergänzende 2SC3244Isahaya Electronics Corporation
92SA1285FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
102SA1285FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation



112SA1285AFÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
122SA1285AFÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
132SA1286KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEBANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
142SA1286KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEBANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
152SA1287FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
162SA1287FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
172SA1363500mW SMD PNP-Transistor, maximale Bewertung: -16V Vceo, -2A Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SC3443Isahaya Electronics Corporation
182SA1364TRANSISTOR DES SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
192SA1364TRANSISTOR DES SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
202SA1365FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
212SA1365FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
222SA1366150mW SMD PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -400mA Ic, 90-500 hFE. Ergänzende 2SC3441Isahaya Electronics Corporation
232SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
242SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
252SA1369FÜR KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
262SA1369FÜR KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
272SA1398900mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -20V Vceo, -700mA Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SC3580Isahaya Electronics Corporation
282SA1399TRANSISTOR DES SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
292SA1399TRANSISTOR DES SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
302SA1530AFÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
312SA1530AFÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
322SA1602FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP (SUPERMINIART)Isahaya Electronics Corporation
332SA1602FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP (SUPERMINIART)Isahaya Electronics Corporation
342SA1928SILIKON PNP VERDOPPELN TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
352SA1928SILIKON PNP VERDOPPELN TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
362SA1944FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
372SA1944FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
382SA1945FÜR UNIVERSELLE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
392SA1945FÜR UNIVERSELLE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
402SA1946500mW SMD PNP-Transistor, maximale Bewertung: -20V Vceo, -700mA Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SC5212Isahaya Electronics Corporation
412SA1947FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
422SA1947FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
432SA1948SMALL-SIGNAL TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
442SA1948SMALL-SIGNAL TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
452SA1989Für Niederfrequenz Verstärken Sie Epitaxial- Art Uitra Supernini Des Anwendung Silikon-PNPIsahaya Electronics Corporation
462SA1989Für Niederfrequenz Verstärken Sie Epitaxial- Art Uitra Supernini Des Anwendung Silikon-PNPIsahaya Electronics Corporation
472SA1993FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- MIKRO DIE ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
482SA1993FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- MIKRO DIE ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNPIsahaya Electronics Corporation
492SA1995450mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -100mA Ic, 120-560 hFE.Isahaya Electronics Corporation
502SA1998600mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -20V Vceo, -2A Ic, 150 bis 500 hFE.Isahaya Electronics Corporation



Seite: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |



© 2023    www.datasheetcatalog.net/de/isahayaelectronicscorporation/1/