Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
1 | 2SA1235A | 200mW SMD PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -200mA Ic, 150 bis 500 hFE. Verbessern 2SA1235 | Isahaya Electronics Corporation |
2 | 2SA1282 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
3 | 2SA1282 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
4 | 2SA1282A | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
5 | 2SA1282A | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
6 | 2SA1283 | SILIKON PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
7 | 2SA1283 | SILIKON PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
8 | 2SA1284 | 900mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -100 V Vceo, -500mA Ic, 55-300 hFE. Ergänzende 2SC3244 | Isahaya Electronics Corporation |
9 | 2SA1285 | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
10 | 2SA1285 | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
11 | 2SA1285A | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
12 | 2SA1285A | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
13 | 2SA1286 | KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEBANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
14 | 2SA1286 | KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEBANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
15 | 2SA1287 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
16 | 2SA1287 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
17 | 2SA1363 | 500mW SMD PNP-Transistor, maximale Bewertung: -16V Vceo, -2A Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SC3443 | Isahaya Electronics Corporation |
18 | 2SA1364 | TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
19 | 2SA1364 | TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
20 | 2SA1365 | FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
21 | 2SA1365 | FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
22 | 2SA1366 | 150mW SMD PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -400mA Ic, 90-500 hFE. Ergänzende 2SC3441 | Isahaya Electronics Corporation |
23 | 2SA1368 | 2SA1368 | Isahaya Electronics Corporation |
24 | 2SA1368 | 2SA1368 | Isahaya Electronics Corporation |
25 | 2SA1369 | FÜR KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
26 | 2SA1369 | FÜR KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
27 | 2SA1398 | 900mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -20V Vceo, -700mA Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SC3580 | Isahaya Electronics Corporation |
28 | 2SA1399 | TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
29 | 2SA1399 | TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
30 | 2SA1530A | FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
31 | 2SA1530A | FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
32 | 2SA1602 | FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP (SUPERMINIART) | Isahaya Electronics Corporation |
33 | 2SA1602 | FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP (SUPERMINIART) | Isahaya Electronics Corporation |
34 | 2SA1928 | SILIKON PNP VERDOPPELN TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
35 | 2SA1928 | SILIKON PNP VERDOPPELN TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
36 | 2SA1944 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
37 | 2SA1944 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
38 | 2SA1945 | FÜR UNIVERSELLE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
39 | 2SA1945 | FÜR UNIVERSELLE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
40 | 2SA1946 | 500mW SMD PNP-Transistor, maximale Bewertung: -20V Vceo, -700mA Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SC5212 | Isahaya Electronics Corporation |
41 | 2SA1947 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
42 | 2SA1947 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
43 | 2SA1948 | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
44 | 2SA1948 | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
45 | 2SA1989 | Für Niederfrequenz Verstärken Sie Epitaxial- Art Uitra Supernini Des Anwendung Silikon-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
46 | 2SA1989 | Für Niederfrequenz Verstärken Sie Epitaxial- Art Uitra Supernini Des Anwendung Silikon-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
47 | 2SA1993 | FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- MIKRO DIE ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
48 | 2SA1993 | FÜR NIEDERFREQUENZ VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- MIKRO DIE ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
49 | 2SA1995 | 450mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Rating: -50 V Vceo, -100mA Ic, 120-560 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
50 | 2SA1998 | 600mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -20V Vceo, -2A Ic, 150 bis 500 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
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