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GT10J312 Vorbei Hergestellt: |
ISOLIERFührung IGBT HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN Des GATTER-ZWEIPOLIGE TRANSISTOR-SILIKON-N Andere mit der gleichen Akte für datasheet: GT10J312(SM), |
Download GT10J312 datasheet von TOSHIBA |
pdf 295 kb |
GT10J311 | Ansicht GT10J312 zu unserem Katalog | GT10J312(SM) |