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KSB1150 Vorbei Hergestellt: |
-60 V, -3 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor Andere mit der gleichen Akte für datasheet: KSB1149, |
Download KSB1150 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 244 kb |
KSB1149YSTU | Ansicht KSB1150 zu unserem Katalog | KSB1151 |