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MJE13006 Vorbei Hergestellt: |
ENERGIE TRANSISTORS(8A, 300-400V, 80w) Andere mit der gleichen Akte für datasheet: MJE13007, |
Download MJE13006 datasheet von MOSPEC Semiconductor |
pdf 198 kb |
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Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Download MJE13006 datasheet von Central Semiconductor |
pdf 81 kb |
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2.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 8.000A Ic, 8-60 hFE. | Download MJE13006 datasheet von Continental Device India Limited |
pdf 161 kb |
MJE13005F | Ansicht MJE13006 zu unserem Katalog | MJE13006_13007 |