| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1090881 | SGS6N60UFDTU | Getrennte, hohe Leistung IGBT mit Diode | Fairchild Semiconductor |
| 1090882 | SGS6N60UFTU | Getrennte, Hohe Leistung IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090883 | SGSD100 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090884 | SGSD100 | ERGÄNZENDES SILIKON, ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090885 | SGSD100 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090886 | SGSD200 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090887 | SGSD200 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090888 | SGSD200 | ERGÄNZENDES SILIKON, ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090889 | SGSD310 | 150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; Hochspannung, hohe Leistung, schnelle Schalt Silizium multiepitaxial planaren NPN-Transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090890 | SGSD311 | 150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; Hochspannung, hohe Leistung, schnelle Schalt Silizium multiepitaxial planaren NPN-Transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090891 | SGSD311FI | 150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; Hochspannung, hohe Leistung, schnelle Schalt Silizium multiepitaxial planaren NPN-Transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090892 | SGSF344 | V (CES): 1200V; V (CEO): 600V; V (ebo): 7V; 7A; 85W; Hochspannungs schnelle Schalt NPN-Leistungstransistor. Für Schaltnetzteile, Horizontalablenkung für Farb TVsand Monitore | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090893 | SGSF461 | 125W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (ebo): 7V; I (c): 15A; schneller Schalter Hohl-Emitter NPN-Transistor. Für SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090894 | SGSF561 | 150W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (ebo): 7V; I (c): 15A; schneller Schalter Hohl-Emitter NPN-Transistor. Für SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090895 | SGSIF344 | ENERGIE TRANSISTOREN DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1090896 | SGSIF344 | NPN-Leistungstransistor für Schaltnetzteile und horizontale Ablenkung für Farbfernseher und Monitore Anwendungen, 40W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090897 | SGSIF344FP | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090898 | SGSIF344FP | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1090899 | SGSIF444 | ENERGIE TRANSISTOREN DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1090900 | SGSIF444 | NPN-Leistungstransistor für Schaltnetzteile und horizontale Ablenkung für Farbfernseher und Monitore Anwendungen, 50W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090901 | SGSIF461 | 65W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (ebo): 7V; I (c): 15A; schneller Schalter Hohl-Emitter NPN-Transistor. Für SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090902 | SGSP216 | N-CHANNEL ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090903 | SGSP216 | N-Kanal-MOS-Leistungstransistors, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090904 | SGSP217 | N-CHANNEL ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090905 | SGSP217 | N-Kanal-MOS-Leistungstransistor, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090906 | SGSP316 | N-CHANNEL ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090907 | SGSP316 | N-Kanal-MOS-Leistungstransistors, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090908 | SGSP317 | N-CHANNEL ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090909 | SGSP317 | N-Kanal-MOS-Leistungstransistor, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090910 | SGSP477 | N-Führung Verbesserung Modus-Energie MOS Transistor | ST Microelectronics |
| 1090911 | SGSP477CHIP | N-Führung Verbesserung Modus-Energie MOS Transistor in der Würfel-Form | ST Microelectronics |
| 1090912 | SGSP516 | N-CHANNEL ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090913 | SGSP516 | N-Kanal-MOS-Leistungstransistors, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090914 | SGSP517 | N-CHANNEL ENERGIE MOS TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 1090915 | SGSP517 | N-Kanal-MOS-Leistungstransistor, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090916 | SGU04N60 | Schnelles IGBT in der NPT-Technologie | Infineon |
| 1090917 | SGU15N40 | Allgemeine Beschreibung | Fairchild Semiconductor |
| 1090918 | SGU15N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090919 | SGU15N40LTU | Getrennt, IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090920 | SGU20N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
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