| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1164481 | STD95NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0039 Ohm - 80A DPAK ULTRA NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET Mosfet | ST Microelectronics |
| 1164482 | STD96N3LLH6 | N-Kanal-30 V, 0,0037 Ohm typ. 80 A, in DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164483 | STD9N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164484 | STD9N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164485 | STD9N10 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164486 | STD9N10-1 | N-CHANNEL 100V - 0.23 U. - 9A DPAK/IPAK MOSFET TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 1164487 | STD9N10L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1164488 | STD9N10L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164489 | STD9N10L | N - FÜHRUNG 100V - 0.22Ohm - 9A IPAK/DPAK ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164490 | STD9N40M2 | N-Kanal 400 V, 0,65 Ohm typ., 6 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164491 | STD9N60M2 | N-Kanal 600 V, 0,72 Ohm typ. 5,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164492 | STD9N65M2 | N-Kanal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET im DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164493 | STD9NM40N | N-Kanal 400 V, 0,73 Ohm typ. 5,6 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in einem DPAK-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1164494 | STD9NM50N | N-Kanal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in DPAK | ST Microelectronics |
| 1164495 | STD9NM60N | N-Kanal 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A DPAK MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164496 | STDD15 | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164497 | STDD15-04W | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164498 | STDD15-04WFILM | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164499 | STDD15-05W | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164500 | STDD15-05WFILM | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164501 | STDD15-07P | NIEDRIGE KAPAZITANZ-DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164502 | STDD15-07P6 | NIEDRIGE KAPAZITANZ-DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164503 | STDD15-07S | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164504 | STDD15-07SFILM | NIEDRIGE CAPACTITANCE DEMODULATORDIODE | ST Microelectronics |
| 1164505 | STDELIV | BESTELLENINFORMATIONEN FÜR PAKET UND ANLIEFERUNG | ST Microelectronics |
| 1164506 | STDELIV | BESTELLENINFORMATIONEN FÜR PAKET UND ANLIEFERUNG | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164507 | STDH150 ASIC | I/O Zellen | Samsung Electronic |
| 1164508 | STDH150 ASIC | I/O IP Zellen | Samsung Electronic |
| 1164509 | STDH150 ASIC | Ursprüngliche Verriegelungen | Samsung Electronic |
| 1164510 | STDH150 ASIC | Hohe Dichte-Gedächtnisse | Samsung Electronic |
| 1164511 | STDH150 ASIC | Ursprüngliches Flip/Flops | Samsung Electronic |
| 1164512 | STDH150 ASIC | Ursprüngliche Logik-Zellen | Samsung Electronic |
| 1164513 | STDH150 ASIC | Maximales Fanouts | Samsung Electronic |
| 1164514 | STDH150 ASIC | Ursprünglicher Überblick | Samsung Electronic |
| 1164515 | STDH150 ASIC | Ursprüngliche Gemische | Samsung Electronic |
| 1164516 | STDH150 ASIC | Input/Output Zellen | Samsung Electronic |
| 1164517 | STDH150 ASIC | Eigenschaften | Samsung Electronic |
| 1164518 | STDH150 ASIC | Einleitung | Samsung Electronic |
| 1164519 | STDH150 ASIC | Broschüre STDH150 | Samsung Electronic |
| 1164520 | STDH150 ASIC | Paket-Fähigkeiten | Samsung Electronic |
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