|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29493 | 29494 | 29495 | 29496 | 29497 | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1179881STTS751-0DP3F2,25 V Niederspannungs lokalen digitalen TemperatursensorST Microelectronics
1179882STTS751-0WB3F2,25 V Niederspannungs lokalen digitalen TemperatursensorST Microelectronics
1179883STTS751-1DP3F2,25 V Niederspannungs lokalen digitalen TemperatursensorST Microelectronics
1179884STTS751-1WB3F2,25 V Niederspannungs lokalen digitalen TemperatursensorST Microelectronics
1179885STTS75DS2FDigitaler Temperatursensor und Wärme WatchdogST Microelectronics
1179886STTS75M2FDigitaler Temperatursensor und Wärme WatchdogST Microelectronics
1179887STU10N60M2N-Kanal 600 V, 0,55 Ohm typ. 7,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179888STU10NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179889STU10NA50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1179890STU10NB80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179891STU10NB80N - FÜHRUNG 800V - 0.65Ohms - 10A - Max220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1179892STU10NC70ZALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179893STU10NC70ZIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179894STU10NM60NN-Kanal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, IPAK MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1179895STU10P6F6P-Kanal 60 V, 0,13 Ohm typ., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179896STU11N65M2N-Kanal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179897STU11NB60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179898STU11NB60N-CHANNEL 600V - 0.5Ohm - 11A - Max220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1179899STU11NC60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics



1179900STU11NC60N-CHANNEL 600V - 0.48Ohm - 11A Max220 PowerMesh II MosfetSGS Thomson Microelectronics
1179901STU1224NN-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor aufSamHop Microelectronics Corp.
1179902STU1224NN-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor aufSamHop Microelectronics Corp.
1179903STU12N65M5NN-Kanal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET IPAKST Microelectronics
1179904STU13005NHochspannung schnell schaltende NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
1179905STU13N60M2N-Kanal 600 V, 0,35 Ohm typ. 11 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179906STU13NB60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179907STU13NB60N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1179908STU13NC50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179909STU13NC50N-CHANNEL 500V 0.31 OHM13A MAX220 POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1179910STU13NM60NN-Kanal 600 V, 0,28 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179911STU14NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179912STU14NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1179913STU14NA50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1179914STU16N65M2N-Kanal 650 V, 0,32 Ohm typ. 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179915STU16NB50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179916STU16NB50N-CHANNEL 500V - 0.28W - 15.6A-Max220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1179917STU16NC50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1179918STU16NC50N-CHANNEL 500V 0.22 OHM16A MAX220 POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1179919STU1HN60K3N-Kanal 600 V, 6,4 Ohm typ. 1,2 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK PaketST Microelectronics
1179920STU20714B3T U SCHNITTSTELLENLEITUNGSGS Thomson Microelectronics
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29493 | 29494 | 29495 | 29496 | 29497 | 29498 | 29499 | 29500 | 29501 | 29502 | 29503 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com