| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1179921 | STU2071B1 | 4B3T U SCHNITTSTELLENLEITUNG | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179922 | STU2071FN | 4B3T U SCHNITTSTELLENLEITUNG | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179923 | STU20N03L | N-Führung Logik-Niveau E nhancement Modus F ield E ffect Transistor | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179924 | STU20N03L | N-Führung Logik-Niveau E nhancement Modus F ield E ffect Transistor | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179925 | STU26NM50 | N-CHANNEL 500V 0.10 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179926 | STU26NM50I | N-CHANNEL 500V 0.10 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179927 | STU26NM60 | N-CHANNEL 600V 0.125 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179928 | STU26NM60I | N-CHANNEL 600V 0.125 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179929 | STU2LN60K3 | N-Kanal 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179930 | STU2N62K3 | N-Kanal 620 V, 3 Ohm, 2,2 A, IPAK SuperMESH3 (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179931 | STU2N80K5 | N-Kanal 800 V, 3,5 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179932 | STU2N95K5 | N-Kanal 950 V, 4,2 Ohm typ., 2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179933 | STU2NK100Z | N-Kanal 1000 V, 6,25 Ohm, 1,85 A, IPAK Zener-geschützt SuperMESH (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179934 | STU3055L | N-Führung Logik-Niveau E nhancement Modus F ield E ffect Transistor | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179935 | STU3055L | N-Führung Logik-Niveau E nhancement Modus F ield E ffect Transistor | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179936 | STU3055L2 | N-Führung Logik-Niveau-Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor auf | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179937 | STU3055L2 | N-Führung Logik-Niveau-Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor auf | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1179938 | STU36NB20 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1179939 | STU36NB20 | N-CHANNEL 200V 0.052OHM 36A MAX220 POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179940 | STU36NB20 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1179941 | STU3LN62K3 | N-Kanal 620 V, 2,5 Ohm, 2,5 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET IPAK | ST Microelectronics |
| 1179942 | STU3N45K3 | N-Kanal 450 V, 3,2 Ohm, 1,8 A, IPAK SuperMESH3 (TM) Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1179943 | STU3N62K3 | N-Kanal 620 V, 2,2 Ohm typ. 2,7 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179944 | STU3N80K5 | N-Kanal 800 V, 2,8 Ohm typ. 2,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179945 | STU4N52K3 | N-Kanal 525 V, 2,5 A, 2,1 Ohm typ., SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179946 | STU4N62K3 | N-Kanal 620 V, 1,7 Ohm typ. 3,8 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179947 | STU4N80K5 | N-Kanal 800 V, 2,1 Ohm typ. 3 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179948 | STU5N52K3 | N-Kanal 525 V, 1,2 Ohm typ. 4,4 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179949 | STU5N60M2 | N-Kanal 600 V, 1,26 Ohm typ. 3,7 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179950 | STU5N62K3 | N-Kanal 620 V, 1,28 Ohm typ. 4,2 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179951 | STU5N95K3 | N-Kanal 950 V, 3 Ohm, 4 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in IPAK Paket | ST Microelectronics |
| 1179952 | STU6010 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179953 | STU6011 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179954 | STU6012 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179955 | STU6013 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179956 | STU6015 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179957 | STU6016 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179958 | STU6018 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179959 | STU6020 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
| 1179960 | STU6022 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG VORÜBERGEHENDER SPANNUNG ENTSTÖRER | EIC discrete Semiconductors |
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