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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
249721BC239NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTORMicro Electronics
249722BC239Verstärker-TransistorenMotorola
249723BC2390.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249724BC239Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA.USHA India LTD
249725BC239ABUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249726BC239ATANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249727BC239B0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249728BC239BBUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249729BC239BTANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249730BC239CVerstärker-TransistorenMotorola
249731BC239CTransistor-Silikon NPNON Semiconductor
249732BC239C0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 380 - hFEContinental Device India Limited
249733BC239CBUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249734BC239CTANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
249735BC243AENERGIE TRANSISTORS(6A, 65w)MOSPEC Semiconductor
249736BC251SILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249737BC251ASILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249738BC251BSILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola



249739BC251CSILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249740BC252SILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249741BC252ASILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249742BC252BSILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249743BC252CSILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249744BC256SILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249745BC256ASILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249746BC256BSILIKON DER VERSTÄRKER-TRANSISTOR-PNPMotorola
249747BC257PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTORENMicro Electronics
249748BC258PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTORENMicro Electronics
249749BC259PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTORENMicro Electronics
249750BC261PNP HOHES GEWINN-NIEDRIGES GERÄUSCH-SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTORMicro Electronics
249751BC262PNP HOHES GEWINN-NIEDRIGES GERÄUSCH-SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTORMicro Electronics
249752BC263PNP HOHES GEWINN-NIEDRIGES GERÄUSCH-SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTORMicro Electronics
249753BC264N Führung Verzweigung Fangen Effekt-Transistoren aufMicro Electronics
249754BC264N Führung Verzweigung Fangen Effekt-Transistoren aufPhilips
249755BC264N FetSemeLAB
249756BC27SOT23 NPN SILIKON-PLANARE DARLINGTON TRANSISTORENDiodes
249757BC297AUDIOTREIBERST Microelectronics
249758BC297AUDIOTREIBERST Microelectronics
249759BC297V (CES): 50V; V (CEO): 45V; V (EBO): 5V; 1A; Audio-TreiberSGS Thomson Microelectronics
249760BC298AUDIOTREIBERST Microelectronics
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