| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 252641 | BC858B | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
| 252642 | BC858B | PNP Zwecktransistoren | NXP Semiconductors |
| 252643 | BC858B | 0.250W General Purpose PNP SMD-Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 220-475 hFE. Ergänzende BC848B | Continental Device India Limited |
| 252644 | BC858B | Oberflächenmontage Si-Epitaxial PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252645 | BC858B | PNP-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 252646 | BC858B | Ic = 100mA, VCE = 5,0V Transistor | MCC |
| 252647 | BC858B | 30 V, PNP Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 252648 | BC858B | 30 V, PNP Oberflächenmontagekleinsignaltransistor | TRSYS |
| 252649 | BC858B(Z) | SOT23 NPN SILIKON-PLANARE Zwecktransistoren | Diodes |
| 252650 | BC858B-3K | SOT23 PNP SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Unknow |
| 252651 | BC858B-3K | SOT23 PNP SILIKON-PLANARE UNIVERSELLE TRANSISTOREN | Unknow |
| 252652 | BC858B-7 | PNP OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | Diodes |
| 252653 | BC858B-7 | PNP OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | Diodes |
| 252654 | BC858B-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 252655 | BC858BDW1T1 | Universelles Verdoppelungtransistors(PNP Verdoppelt) | Leshan Radio Company |
| 252656 | BC858BF | PNP Zwecktransistoren | Philips |
| 252657 | BC858BF E6327 | Einzelne AF Transistoren für universelle Anwendungen | Infineon |
| 252658 | BC858BL | Universeller Transistor | ON Semiconductor |
| 252659 | BC858BL3 | Einzelne AF Transistoren für universelle Anwendungen | Infineon |
| 252660 | BC858BLT1 | Universelles Transistors(PNP Silikon) | Leshan Radio Company |
| 252661 | BC858BLT1 | FALL 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 252662 | BC858BLT1 | Universeller Transistor | ON Semiconductor |
| 252663 | BC858BLT1G | Universelle Transistoren | ON Semiconductor |
| 252664 | BC858BLT1G | Universelles Transistors(PNP Silikon) | ON Semiconductor |
| 252665 | BC858BLT1G | Universelle Transistoren | ON Semiconductor |
| 252666 | BC858BLT1G | Universelles Transistors(PNP Silikon) | ON Semiconductor |
| 252667 | BC858BLT3 | Universeller Transistor | ON Semiconductor |
| 252668 | BC858BMTF | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 252669 | BC858BW | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 252670 | BC858BW | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 252671 | BC858BW | Universelle Transistoren - Paket SOT23 | Infineon |
| 252672 | BC858BW | PNP Silikon AF Transistoren (für AF Eingang Stadien und Treiberanwendungen hohe Stromverstärkung niedrige Kollektor-Emitter Sättigung Spannung) | Siemens |
| 252673 | BC858BW | Universelle Transistoren | ON Semiconductor |
| 252674 | BC858BW | Oberflächenmontage Si-Epitaxial PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252675 | BC858BW | PNP-Transistor für allgemeine und Schaltanwendungen | Korea Electronics (KEC) |
| 252676 | BC858BW-7 | PNP OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | Diodes |
| 252677 | BC858BW-7 | PNP OBERFLÄCHE EINFASSUNG KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR | Diodes |
| 252678 | BC858BW-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 252679 | BC858BW-G | Kleiner Signal-Transistor, V CBO = -30 V, V CEO = -30 V, V EBO = -5 V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252680 | BC858BWT1 | Universelles Transistors(PNP Silikon) | Leshan Radio Company |
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