| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 258921 | BF173 | NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 258922 | BF173 | 0.200W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 25V Vceo, 0.030A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258923 | BF178 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 258924 | BF180 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258925 | BF180 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258926 | BF181 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258927 | BF181 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258928 | BF182 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258929 | BF182 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258930 | BF182 | 0.150W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 20V Vceo, 0.020A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258931 | BF183 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258932 | BF183 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258933 | BF194 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258934 | BF194 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258935 | BF195 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258936 | BF195 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258937 | BF196 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258938 | BF196 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258939 | BF197 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258940 | BF197 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258941 | BF198 | NPN Silikon Rf Transistor | Siemens |
| 258942 | BF199 | NPN mittlerer Frequenztransistor | Philips |
| 258943 | BF199 | NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 258944 | BF199 | Rf Transistor | Motorola |
| 258945 | BF199 | NPN Hochfrequenz-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 258946 | BF199 | 0.350W RF NPN Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258947 | BF200 | Tranzystor krzemowy ma.ej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258948 | BF200 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258949 | BF200 | 0.150W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 20V Vceo, 0.020A Ic, 15-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258950 | BF2000 | Führung Mosfet Tetrode Des Silikon-N | Siemens |
| 258951 | BF2000W | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
| 258952 | BF2030 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
| 258953 | BF2030 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 258954 | BF2030R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
| 258955 | BF2030W | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
| 258956 | BF2030W | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 258957 | BF2040 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
| 258958 | BF2040 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 258959 | BF2040R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
| 258960 | BF2040W | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB halb, beeinflussend | Infineon |
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