| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 258801 | BF-U812RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258802 | BF-U813RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258803 | BF-U813RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258804 | BF-U814RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258805 | BF-U814RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258806 | BF-U815RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258807 | BF-U815RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258808 | BF-U815RE | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258809 | BF-U815RE | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258810 | BF-U816RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258811 | BF-U816RD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258812 | BF-U81DRD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258813 | BF-U81DRD | EINZELNE STELLE LED ANZEIGEN | Yellow Stone Corp |
| 258814 | BF1005 | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
| 258815 | BF1005 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
| 258816 | BF1005R | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
| 258817 | BF1005S | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
| 258818 | BF1005S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
| 258819 | BF1005SR | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=5V, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB voll, beeinflussend | Infineon |
| 258820 | BF1005SW | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
| 258821 | BF1005W | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
| 258822 | BF1009 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Infineon |
| 258823 | BF1009 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, steuerte hoher Gewinn Eingang Stadien bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9 V integriertem stabilisiertem schrägem Netz | Siemens |
| 258824 | BF1009S | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- | Infineon |
| 258825 | BF1009S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode für... | Infineon |
| 258826 | BF1009S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9V integriertem schrägem Netz) | Siemens |
| 258827 | BF1009SR | RF-MOSFET - integriert Netz, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB voll, beeinflussend; Datasheet Bedarfs- | Infineon |
| 258828 | BF1012 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, steuerte hoher Gewinn Eingang Stadien bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 12V integriertem stabilisiertem schrägem Netz | Siemens |
| 258829 | BF1012S | Silikon N-Führung Mosfet Tetrode | Infineon |
| 258830 | BF1012S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
| 258831 | BF1012W | SILIKONN-CHANNEL MOSFET TETRODE (für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
| 258832 | BF1100 | Dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 258833 | BF1100 | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 258834 | BF1100R | Dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 258835 | BF1100WR | Dual-gate Mos-FET | Philips |
| 258836 | BF1100WR | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 258837 | BF1101 | N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 258838 | BF1101R | N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 258839 | BF1101WR | N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 258840 | BF1101WR | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| | | |
