| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 259481 | BF982 | SILIKON N-CHANNEL VERDOPPELN GATTERMOS-FET | Unknow |
| 259482 | BF982 | SILIKON N-CHANNEL VERDOPPELN GATTERMOS-FET | Unknow |
| 259483 | BF982 | V (ds): 20V; I (d): 40mA; 225MW; Silizium N-Kanal-Dual-Gate-MOS-FET | Philips |
| 259484 | BF987 | Silikon N-Führung Mosfet Triode | Infineon |
| 259485 | BF987 | FÜHRUNG MOSFET TRIODE DES SILIKON-N (für Hochfrequenzstadien bis 300 MHZ, vorzugsweise FM Anwendungen in der hohen Überlastung Fähigkeit) | Siemens |
| 259486 | BF988 | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259487 | BF989 | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259488 | BF990A | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259489 | BF991 | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259490 | BF991 | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259491 | BF992 | Silikon N-Führung Doppelgatter MOS-FET | Philips |
| 259492 | BF992 | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259493 | BF994 | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259494 | BF994 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (für VHF Anwendungen besonders für Eingang und Mischerstadien mit einer breiten abstimmenden Strecke z.B. in den CATV Tuners) | Siemens |
| 259495 | BF994 | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259496 | BF994S | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259497 | BF994S | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259498 | BF994S | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (für VHF Anwendungen, besonders für Eingang und Mischerstadien mit einer breiten abstimmenden Strecke, z.B. in den CATV Tuners) | Siemens |
| 259499 | BF994S | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259500 | BF994SA | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259501 | BF994SB | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259502 | BF995 | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259503 | BF995 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (für Eingang und Mischerstadien in FM und VHF Fernsehapparat Tuners) | Siemens |
| 259504 | BF995A | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259505 | BF995B | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259506 | BF996S | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259507 | BF996S | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259508 | BF996S | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (für Eingang Stadien in der niedrigen Geräuschabbildung des UHF Fernsehapparat Tuners hohen Transconductance) | Siemens |
| 259509 | BF996S | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259510 | BF996SA | N.Channel Verdoppeln Gatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259511 | BF996SB | N.Channel Verdoppeln Gatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259512 | BF997 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (integriertes Ausgleichnetz gegen unechte VHF Pendelbewegungen) | Siemens |
| 259513 | BF997 | N-Führung dual-gate MOS-FET | Philips |
| 259514 | BF998 | Silikon N-Führung dual-gate MOS-FETs | Philips |
| 259515 | BF998 | N-Führung Doppelgatter MOS‐Fieldeffect Tetrode, Abgangsart | Vishay |
| 259516 | BF998 | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 259517 | BF998 | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
| 259518 | BF998 | N-Kanal-Dual-Gate-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 259519 | BF998A | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
| 259520 | BF998B | N-Führung Doppelgatter MOS-Fieldeffect Tetrode Abgangsart | Vishay |
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