| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 31681 | 1N914A | Kleine Signal-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31682 | 1N914A | Diode Daten | National Semiconductor |
| 31683 | 1N914A | 75 V, 500 mW hoher Leitfähigkeit ultraschnelle Schaltdiode | BKC International Electronics |
| 31684 | 1N914A | 100V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
| 31685 | 1N914A | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
| 31686 | 1N914A | SCHNELLE SCHALTUNG DIODE | Diodes |
| 31687 | 1N914ATR | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31688 | 1N914A_T50R | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31689 | 1N914B | Schnelldiode | Philips |
| 31690 | 1N914B | Kleine Signal-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31691 | 1N914B | SIGNAL-DIODE | Rectron Semiconductor |
| 31692 | 1N914B | Verbleite Silikon-Diode Schaltung | Central Semiconductor |
| 31693 | 1N914B | Diode Daten | National Semiconductor |
| 31694 | 1N914B | Schaltung Diode | ROHM |
| 31695 | 1N914B | 75 V, 500 mW hoher Leitfähigkeit ultraschnelle Schaltdiode | BKC International Electronics |
| 31696 | 1N914B | 500 mW Axial-Schaltung Diode, 20.0V Vr, 0.030uA Ir, 1,00 V @ 100mA Vf Wenn | Continental Device India Limited |
| 31697 | 1N914B | 100V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
| 31698 | 1N914B | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
| 31699 | 1N914B | SCHNELLE SCHALTUNG DIODE | Diodes |
| 31700 | 1N914BTR | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31701 | 1N914BWS | Kleinsignaldiode | Fairchild Semiconductor |
| 31702 | 1N914BWT | Kleinsignaldiode | Fairchild Semiconductor |
| 31703 | 1N914B_S62Z | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31704 | 1N914B_T50A | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31705 | 1N914B_T50R | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31706 | 1N914THRU1N4454 | KLEINE SIGNAL-SCHALTUNG DIODE | Shanghai Sunrise Electronics |
| 31707 | 1N914TR | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31708 | 1N914UR | SCHALTUNG DIODE | Compensated Devices Incorporated |
| 31709 | 1N914UR | LEISTUNG SPEZIFIKATION | Microsemi |
| 31710 | 1N914UR-1 | MINI-MELF-SMD Silikon Swithching Diode | Microsemi |
| 31711 | 1N914_Q | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31712 | 1N914_T50A | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31713 | 1N914_T50R | Hohe Leitfähigkeit Fasten Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31714 | 1N916 | Kleine Signal-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31715 | 1N916 | Diode Daten | National Semiconductor |
| 31716 | 1N916 | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
| 31717 | 1N916A | Kleine Signal-Diode | Fairchild Semiconductor |
| 31718 | 1N916A | Diode Daten | National Semiconductor |
| 31719 | 1N916A | 75 V, 500 mW hoher Leitfähigkeit ultraschnelle Schaltdiode | BKC International Electronics |
| 31720 | 1N916A | Siliziumepitaxieschicht planaren Typ-Diode. | Panasonic |
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