| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 44201 | 2N1989 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44202 | 2N1990 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44203 | 2N1991 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44204 | 2N1991 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 44205 | 2N2017 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44206 | 2N2023 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44207 | 2N2023 | V (RRM / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44208 | 2N2024 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44209 | 2N2024 | V (RRM / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44210 | 2N2025 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44211 | 2N2025 | V (RRM / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44212 | 2N2026 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44213 | 2N2026 | V (RRM / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44214 | 2N2027 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44215 | 2N2027 | V (RRM / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44216 | 2N2028 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44217 | 2N2028 | V (RRM / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44218 | 2N2029 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44219 | 2N2029 | V (RRM / DRM): 300V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44220 | 2N2030 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44221 | 2N2030 | V (RRM / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Für allgemeine puspose Phase Control-Anwendungen | International Rectifier |
| 44222 | 2N2049 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44223 | 2N2060 | NPN Verdoppeln Transistoren | Microsemi |
| 44224 | 2N2060 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor Doppel | Central Semiconductor |
| 44225 | 2N2060 | NPN Silizium Doppelverstärker-Transistor. | Motorola |
| 44226 | 2N2060(CAN) | Transistor Des Silikon-NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44227 | 2N2060A | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 44228 | 2N2060A | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor Doppel | Central Semiconductor |
| 44229 | 2N2060J | Transistor Des Silikon-NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44230 | 2N2060JV | Transistor Des Silikon-NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44231 | 2N2060JX | Transistor Des Silikon-NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44232 | 2N2060L | NPN Verdoppeln Transistoren | Microsemi |
| 44233 | 2N2060M | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44234 | 2N2079 | Germanium-Energie Transistor | Semitronics |
| 44235 | 2N2079A | Germanium-Energie Transistor | GPD Optoelectronic Devices |
| 44236 | 2N20906A | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 44237 | 2N20907A | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 44238 | 2N2102 | EPITAXIAL- PLANARES NPN | ST Microelectronics |
| 44239 | 2N2102 | SILIKONAF MITTLERE ENDVERSTÄRKER UND SCHALTER | Micro Electronics |
| 44240 | 2N2102 | UNIVERSELLER VERSTÄRKER UND SCHALTER | SGS Thomson Microelectronics |
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