| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 48041 | 2N5881 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48042 | 2N5882 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48043 | 2N5882 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48044 | 2N5882 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48045 | 2N5882-D | Silikon NPN Hoch-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 48046 | 2N5883 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48047 | 2N5883 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48048 | 2N5883 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48049 | 2N5883 | Energie 25A 60V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 48050 | 2N5883-D | Ergänzende Silikon Hoch-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 48051 | 2N5884 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48052 | 2N5884 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48053 | 2N5884 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48054 | 2N5884 | Energie 25A 80V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 48055 | 2N5884 | ERGÄNZENDE SILIKON-HOHE ENERGIE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 48056 | 2N5884 | hfe Min 20 Transistorpolung PNP Aktuelle Ic dauernd max 25 A Spannung Vceo 80 V Strom Ic (HFE) 10 A Leistung Ptot 200 W Temperaturleistung 25? C Transistoren Zahl von 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 48057 | 2N5885 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48058 | 2N5885 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48059 | 2N5885 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48060 | 2N5885 | Energie 25A 60V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 48061 | 2N5885 | Hochstrom, High-Power, High-Speed-Leistungstransistor. 60V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48062 | 2N5886 | ERGÄNZENDER SILIKON-HOHE ENERGIE TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 48063 | 2N5886 | HOHER GEGENWÄRTIGER ENERGIE TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 48064 | 2N5886 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48065 | 2N5886 | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48066 | 2N5886 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48067 | 2N5886 | Energie 25A 80V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 48068 | 2N5886 | Hochstrom, High-Power, High-Speed-Leistungstransistor. 80V, 200W. | General Electric Solid State |
| 48069 | 2N5902 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48070 | 2N5903 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48071 | 2N5904 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48072 | 2N5905 | Niedriges Durchsickern, Der Niedrige Antrieb, Monolithisch Verdoppelt, N-Führung JFET | Linear Systems |
| 48073 | 2N5905 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48074 | 2N5906 | Niedriges Durchsickern, Der Niedrige Antrieb, Monolithisch Verdoppelt, N-Führung JFET | Linear Systems |
| 48075 | 2N5906 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48076 | 2N5907 | Niedriges Durchsickern, Der Niedrige Antrieb, Monolithisch Verdoppelt, N-Führung JFET | Linear Systems |
| 48077 | 2N5907 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48078 | 2N5908 | Niedriges Durchsickern, Der Niedrige Antrieb, Monolithisch Verdoppelt, N-Führung JFET | Linear Systems |
| 48079 | 2N5908 | MONOLITHISCHER DOPPELN FÜHRUNG JFET ZWECK-VERSTÄRKER | Intersil |
| 48080 | 2N5909 | Niedriges Durchsickern, Der Niedrige Antrieb, Monolithisch Verdoppelt, N-Führung JFET | Linear Systems |
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