| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 501801 | HN1A01FE | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501802 | HN1A01FU | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-PNP (Pct Prozeß) Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 501803 | HN1A02F | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501804 | HN1A07F | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501805 | HN1A26FS | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501806 | HN1B01F | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-PNP (Pct Prozeß) Epitaxial- Art Des Silikon-NPN (Pct Prozeß) Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 501807 | HN1B01FDW1T1 | Ergänzende Dual-General Purpose Amplifier Transistor | ON Semiconductor |
| 501808 | HN1B01FDW1T1-D | Ergänzender universeller Verstärker-Verdoppelungtransistor PNP und NPN Oberfläche Einfassung | ON Semiconductor |
| 501809 | HN1B01FU | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-PNP (Pct Prozeß) Epitaxial- Art Des Silikon-NPN (Pct Prozeß) Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 501810 | HN1B04F | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501811 | HN1B04FE | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501812 | HN1B04FU | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) Epitaxial- Art Des Silikon-PNP (Pct Prozeß) Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 501813 | HN1B26FS | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501814 | HN1C01F | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 501815 | HN1C01FE | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501816 | HN1C01FU | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 501817 | HN1C03F | Epitaxial- Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) Für Die Daempfenden Und Zugeschalteten Anwendungen | TOSHIBA |
| 501818 | HN1C03FU | Transistor-Silikon Npn Epitaxial- Art (PCT Prozeß) für die daempfenden und zugeschalteten Anwendungen | TOSHIBA |
| 501819 | HN1C05FE | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501820 | HN1C07F | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501821 | HN1C26FS | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501822 | HN1D01F | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501823 | HN1D01FE | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 501824 | HN1D01FU | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501825 | HN1D02F | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501826 | HN1D02FE | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 501827 | HN1D02FU | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501828 | HN1D03F | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501829 | HN1D03FU | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501830 | HN1D04FU | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 501831 | HN1J02FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-P auf | TOSHIBA |
| 501832 | HN1K02FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 501833 | HN1K03FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 501834 | HN1K04FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 501835 | HN1K05FU | Fangen Sie Führung MOS Art Des Effekt-Transistor-Silikon-N Für Bewegliche Vorrichtungen Schnellschaltung Anwendungen Schnittstelle Anwendungen auf | TOSHIBA |
| 501836 | HN1K06FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 501837 | HN1L02FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N-P auf | TOSHIBA |
| 501838 | HN1L03FU | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N-P auf | TOSHIBA |
| 501839 | HN1V01H | Variables Kapazitanz-Diode Morgens Radioband-Abstimmende Anwendungen | TOSHIBA |
| 501840 | HN1V02H | Variables Kapazitanz-Diode Morgens Radioband-Abstimmende Anwendungen | TOSHIBA |
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