| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 51721 | 2SB1016 | PNP EPITAXIAL- VERSTÄRKER-VERTIKALE ABLENKUNG DES SILIKON-TRANSISTOR(POWER OUTPUT) | Wing Shing Computer Components |
| 51722 | 2SB1016A | EPITAXIAL- ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 51723 | 2SB1017 | 2SB1017 | Unknow |
| 51724 | 2SB1018A | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 51725 | 2SB1019 | 2SB1019 | Unknow |
| 51726 | 2SB1020 | 7A; 30W; V (CEO): 100V; PNP Darlington-Transistor | TOSHIBA |
| 51727 | 2SB1020A | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (DARLINGTON ENERGIE) HOHE ENERGIE SCHALTUNG, HAMMER-ANTRIEB, IMPULS-BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 51728 | 2SB1021 | 2SB1021 | Unknow |
| 51729 | 2SB1021 | 7A; 30W; V (CEO): 80V; PNP Darlington-Transistor | TOSHIBA |
| 51730 | 2SB1022 | 2SB1022 | Unknow |
| 51731 | 2SB1022 | 7A; 30W; V (CEO): 60V; PNP Darlington-Transistor | TOSHIBA |
| 51732 | 2SB1023 | 2SB1023 | TOSHIBA |
| 51733 | 2SB1024 | 2SB1024 | TOSHIBA |
| 51734 | 2SB1025 | Transistor Des Silikon-PNP | Hitachi Semiconductor |
| 51735 | 2SB1025 | Silikon PNP Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 51736 | 2SB1025 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 51737 | 2SB1026 | Transistor Des Silikon-PNP | Hitachi Semiconductor |
| 51738 | 2SB1026 | Silikon PNP Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 51739 | 2SB1026 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 51740 | 2SB1027 | Transistor Des Silikon-PNP | Hitachi Semiconductor |
| 51741 | 2SB1027 | Silikon PNP Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 51742 | 2SB1028 | Transistor Des Silikon-PNP | Hitachi Semiconductor |
| 51743 | 2SB1028 | Silikon PNP Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 51744 | 2SB1028 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 51745 | 2SB1030 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 51746 | 2SB1030A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 51747 | 2SB1031 | ENDVERSTÄRKER-HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG DES SILIKON-NPN EPITAXIAL- NIEDERFREQUENZ | Hitachi Semiconductor |
| 51748 | 2SB1031K | NIEDERFREQUENZCENDVERSTÄRKER-ERGÄNZENDES PAAR MIT 2SD1435K | Hitachi Semiconductor |
| 51749 | 2SB1032 | Dreifaches Des Silikon-PNP Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 51750 | 2SB1032 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51751 | 2SB1032(K) | Transistor Des Silikon-PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51752 | 2SB1032K | Dreifaches Des Silikon-PNP Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 51753 | 2SB1033 | PNP EPITAXIAL- FREQUENZ-ENDVERSTÄRKER DES SILIKON-TRANSISTOR(LOW) | Wing Shing Computer Components |
| 51754 | 2SB1034 | 2SB1034 | TOSHIBA |
| 51755 | 2SB1035 | 2SB1035 | Unknow |
| 51756 | 2SB1035 | 900mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Rating: -25 V Vceo, -1A Ic, 55-300 hFE. Ergänzende 2SD1447 | Isahaya Electronics Corporation |
| 51757 | 2SB1036 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 51758 | 2SB1037 | Färben Sie Fernsehapparat Vertikalen Ausgang, Stichhaltige Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 51759 | 2SB1041 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 51760 | 2SB1041 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
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