| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 57801 | 2SD1930 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57802 | 2SD1931 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57803 | 2SD1931 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57804 | 2SD1932 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 57805 | 2SD1932 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 57806 | 2SD1933 | Energie Transistor (-80V/ -4A) | ROHM |
| 57807 | 2SD1934 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - andere | Panasonic |
| 57808 | 2SD1935 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 57809 | 2SD1936 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Af Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 57810 | 2SD1937 | Für Niederfrequenz-Verstärkung | Panasonic |
| 57811 | 2SD1938 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57812 | 2SD1938F | Epitaxial- planare Art des Silikons NPN | Panasonic |
| 57813 | 2SD1938F | Epitaxial- planare Art des Silikons NPN | Panasonic |
| 57814 | 2SD1939 | TRANSISTOR DES NPN SILIKON-DARLINGTON | NEC |
| 57815 | 2SD1939 | TRANSISTOR DES NPN SILIKON-DARLINGTON | NEC |
| 57816 | 2SD1940 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor 85V/6A, AF 25 zu den Ausgang 30W Anwendungen | SANYO |
| 57817 | 2SD1944 | High-current Gewinn Energie Transistor (-60V/ -3A) | ROHM |
| 57818 | 2SD1947A | EPITAXIAL- ART HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN UND LAMPE, SOLENOID-ANTRIEB ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 57819 | 2SD1949 | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 57820 | 2SD1950 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 57821 | 2SD1950-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 57822 | 2SD1950-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 57823 | 2SD1953 | NPN Epitaxial- Planare Treiber-Anwendungen Des Silikon-Transistor-120V/1.5A | SANYO |
| 57824 | 2SD1957 | Energie Transistor(120V/ 7A) | ROHM |
| 57825 | 2SD1958 | NPN Dreifache Zerstreute Planare Silikon-Transistor Fernsehapparat Horizontale Ablenkung Ausgegebene Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 57826 | 2SD1961 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57827 | 2SD1961 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57828 | 2SD1963 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
| 57829 | 2SD1964 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Allgemein-Zweck Energie Verstärkung | Panasonic |
| 57830 | 2SD1966 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 57831 | 2SD1966 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 57832 | 2SD1967 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 57833 | 2SD1967 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 57834 | 2SD1970 | Transistor Des Silikon-NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57835 | 2SD1970 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 57836 | 2SD1972 | 2W Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 60V Vceo, 3A Ic, 250 bis 800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 57837 | 2SD1974 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 57838 | 2SD1974 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 57839 | 2SD1974 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 57840 | 2SD1975 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Für Audio | Panasonic |
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