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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
611001KM44S16030BT-G_FL100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
611002KM44S16030CT-G_F10100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
611003KM44S16030CT-G_F7143MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
611004KM44S16030CT-G_F8125MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
611005KM44S16030CT-G_FH100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
611006KM44S16030CT-G_FL100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
611007KM44S320308M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611008KM44S32030B8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611009KM44S32030BT-G/F10128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611010KM44S32030BT-G/F8128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611011KM44S32030BT-G/FA128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611012KM44S32030BT-G/FH128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611013KM44S32030BT-G/FL128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611014KM44S32030T-G/F108M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611015KM44S32030T-G/F88M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611016KM44S32030T-G/FH8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611017KM44S32030T-G/FL8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611018KM44S3203BT-G_F108M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 66 MHz (CL = 2 & 3).Samsung Electronic
611019KM44S3203BT-G_F88M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 125 MHz (CL = 3).Samsung Electronic



611020KM44S3203BT-G_FA8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 133 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
611021KM44S3203BT-G_FH8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 100 MHz (CL = 2).Samsung Electronic
611022KM44S3203BT-G_FL8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 100 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
611023KM44V1000D1M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
611024KM44V1000DJ-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611025KM44V1000DJ-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611026KM44V1000DJL-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611027KM44V1000DJL-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611028KM44V1000DT-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611029KM44V1000DT-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611030KM44V1000DTL-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611031KM44V1000DTL-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611032KM44V4000C4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
611033KM44V4000CK-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611034KM44V4000CK-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611035KM44V4000CKL-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611036KM44V4000CKL-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611037KM44V4000CS-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611038KM44V4000CS-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611039KM44V4000CSL-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611040KM44V4000CSL-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
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