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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
611121KM48S80302M x 8Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611122KM48S80302M x 8Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611123KM48S8030C2M x 8Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611124KM48S8030CT-G/FA2M x 8Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
611125KM48S8030CT-G_F102M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611126KM48S8030CT-G_F72M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
611127KM48S8030CT-G_F82M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
611128KM48S8030CT-G_FH2M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611129KM48S8030CT-G_FL2M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611130KM48S8030D64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
611131KM48S8030DT-G_F82M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
611132KM48S8030DT-G_FA2M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 133MHzSamsung Electronic
611133KM48S8030DT-G_FH2M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611134KM48S8030DT-G_FL2M x 8bit x 4 Banken synchronen DRAM, 3,3V Stromversorgung, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
611135KM48V2000B2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
611136KM48V2000BK-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611137KM48V2000BK-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611138KM48V2000BK-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611139KM48V2000BKL-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic



611140KM48V2000BKL-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611141KM48V2000BKL-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611142KM48V2000BS-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611143KM48V2000BS-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611144KM48V2000BS-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611145KM48V2000BSL-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611146KM48V2000BSL-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611147KM48V2000BSL-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611148KM48V2100B2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
611149KM48V2100BK-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611150KM48V2100BK-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611151KM48V2100BK-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611152KM48V2100BKL-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611153KM48V2100BKL-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611154KM48V2100BKL-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611155KM48V2100BS-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611156KM48V2100BS-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611157KM48V2100BS-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
611158KM48V2100BSL-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
611159KM48V2100BSL-62M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
611160KM48V2100BSL-72M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
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