| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 822481 | MFRC52201HN1 | Standard-3V MIFARE Leser Lösung, v1.0 | NXP Semiconductors |
| 822482 | MFRC52202HN1 | Standard-3V MIFARE Leser Lösung, v2.0 | NXP Semiconductors |
| 822483 | MFRC52301HN1 | Standard-3V ISO / IEC 14443 A / B-Reader-Lösung | NXP Semiconductors |
| 822484 | MFRC52302HN1 | Standard-3V ISO / IEC 14443 A / B-Reader-Lösung | NXP Semiconductors |
| 822485 | MFRC53001T | Standard-MIFARE Leser Lösung | NXP Semiconductors |
| 822486 | MFRC53101T | Norm ISO / IEC 14443 A / B-Reader-Lösung | NXP Semiconductors |
| 822487 | MFRC63002HN | Hohe Leistung MIFARE Leser Lösung | NXP Semiconductors |
| 822488 | MFRC63102HN | Hohe Leistung ISO / IEC 14443 A / B-Reader-Lösung | NXP Semiconductors |
| 822489 | MFS112 | Schneller Gleichrichter (100-500ns) | Microsemi |
| 822490 | MFS114 | Schneller Gleichrichter (100-500ns) | Microsemi |
| 822491 | MFS116 | Schneller Gleichrichter (100-500ns) | Microsemi |
| 822492 | MG-12232-3 | LCD MODUL | etc |
| 822493 | MG-12232-5 | LCD MODUL | etc |
| 822494 | MG100G2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822495 | MG100G2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822496 | MG100H2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822497 | MG100H2YL1 | NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 600V, 100A | Westcode Semiconductors |
| 822498 | MG100J1BS11 | N FÜHRUNG IGBT (HOHE PWER SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 822499 | MG100J1ZS40 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822500 | MG100J2YS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822501 | MG100J6ES50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822502 | MG100J7KS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822503 | MG100M2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822504 | MG100M2YK1 | NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 1000V, 100A | Westcode Semiconductors |
| 822505 | MG100M2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822506 | MG100N2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822507 | MG100N2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822508 | MG100Q1JS40 | GTR Führung IGBT Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822509 | MG100Q1ZS40 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Zerhacker-Anwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822510 | MG100Q1ZS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822511 | MG100Q2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822512 | MG100Q2YK1 | NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 1200V, 100A | Westcode Semiconductors |
| 822513 | MG100Q2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
| 822514 | MG100Q2YS40 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822515 | MG100Q2YS42 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822516 | MG100Q2YS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822517 | MG100Q2YS50A | N FÜHRUNG IGBT (HOHE PWER SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 822518 | MG100Q2YS51 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
| 822519 | MG100Q2YS51A | N FÜHRUNG IGBT (HOHE PWER SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 822520 | MG100Q2YS65H | Führung IGBT des IGBT Modul-Silikon-N Hohe Energie U. Schnellschaltung Anwendungen | TOSHIBA |
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