19911 | STB20NM50FD | N-CHANNEL 500V 0.20 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A D2PAK FDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
19912 | STB20NM50FD-1 | N-CHANNEL 500V 0.22 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/I2PAK FDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
19913 | STB20NM60 | N-CHANNEL 600V 0.25 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
19914 | STB20NM60-1 | N-CHANNEL 600V 0.25 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
19915 | STB210NF02 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19916 | STB210NF02-1 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19917 | STB22NE03L | N-CHANNEL 30V - 0.034 OHM - 22A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19918 | STB22NE03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.034 Ohm - 22A TO-263 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19919 | STB24NF10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.07Ohm - 24A TO-263 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19920 | STB24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.07 OHM - 24A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19921 | STB3015L | N - FÜHRUNG 30V - 0.013 W - 40A - D 2 PAK/TO-220 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19922 | STB3015L | N-CHANNEL 30V - 0.013 OHM - 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19923 | STB3020L | N - FÜHRUNG 30V - 0.019W - 40A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19924 | STB30N10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19925 | STB30N10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.06Ohm - 30A - D 2 PAK ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19926 | STB30NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.35 OHM - 30A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19927 | STB30NE06L | N - FÜHRUNG 60V - 0.35 Ohm - 30A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19928 | STB30NF10 | N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19929 | STB35NF10 | N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
19930 | STB36NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.016 W - 36A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19931 | STB36NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.015 Ohm - 36A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19932 | STB36NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 OHM - 36A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19933 | STB3N60-1 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19934 | STB3NA60-1 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19935 | STB3NA80 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19936 | STB3NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 3.3 Ohm - 3.3A - D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19937 | STB3NC60 | N - FÜHRUNG 600V - 3.3Ohm -3A-D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19938 | STB3NC90Z | N-CHANNEL 900V 3.2 OHM3.5A D2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19939 | STB3NC90Z-1 | N-CHANNEL 900V 3.2 OHM3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19940 | STB40NE03L-20 | N - EIGENSCHAFT GRÖSSE ] Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE?OWER Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19941 | STB40NE03L-20 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19942 | STB40NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.020 OHM - 40A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19943 | STB40NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.020 Ohm - 40A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19944 | STB40NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.025 OHM - 40A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19945 | STB40NF10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.030Ohm - 40A TO-263 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19946 | STB40NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.024 OHM - 50A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19947 | STB40NF10L | N-CHANNEL 100V 0.028 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A D2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
19948 | STB40NS15 | N-CHANNEL 150V 0.042 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-40A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
19949 | STB4395 | CT2 RECEIVER/TRANSMITTER | SGS Thomson Microelectronics |
19950 | STB45N10L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19951 | STB45N10L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19952 | STB45NF06 | N-CHANNEL 60V 0.022OHM 38A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19953 | STB45NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.022 OHM - 38A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19954 | STB45NF3LL | N-CHANNEL 30V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-45A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
19955 | STB4NB50 | N - FÜHRUNG 500V - 2.5 Ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19956 | STB4NB80 | N - FÜHRUNG 800V - 3 Ohm - 4A - PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19957 | STB4NC50 | N-CHANNEL 500V 2.2OHM 4A D2PAK POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19958 | STB4NC60 | N-CHANNEL 600V 1.8 OHM4.2A D2PAK POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19959 | STB4NC60-1 | N-CHANNEL 600V - 1.8 OHM - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19960 | STB4NC60A-1 | N-CHANNEL 600V 1.8 OHM4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19961 | STB4NC80Z-1 | N-CHANNEL 800V 2.4 OHM4A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER GESCHÜTZTER POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19962 | STB50NE08 | N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19963 | STB50NE10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.021Ohm - 50A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19964 | STB50NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.021 OHM - 50A - D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19965 | STB50NE10L | N - FÜHRUNG 100V - 0.020Ohm - 50A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19966 | STB55NE06 | N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19967 | STB55NE06L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-"EINZELNE EIGENSCHAFT GRÖSSE" ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19968 | STB55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 OHM - 55A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19969 | STB55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 OHM - 55A TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19970 | STB55NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.01 Ohm - 55A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19971 | STB55NF03L-1 | N-CHANNEL 30V - 0.01 OHM - 55A TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19972 | STB55NF06 | N-CHANNEL 60V 0.018 ENERGIE MOSFET DES OHM-50A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
19973 | STB55NF06-1 | N-CHANNEL 60V 0.017 ENERGIE MOSFET DES OHM-50A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
19974 | STB55NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 55A T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19975 | STB55NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 55A T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19976 | STB5600 | GPS RF FRONT-END IS | SGS Thomson Microelectronics |
19977 | STB5610 | GPS RF FRONT-END IS | SGS Thomson Microelectronics |
19978 | STB5NA50 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19979 | STB5NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19980 | STB5NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19981 | STB5NA80 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19982 | STB5NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 1.8 Ohm -5A - I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19983 | STB5NB80 | N - FÜHRUNG 800V - 1.8 Ohm -5A - D 2 PAK PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19984 | STB5NC70Z-1 | N-CHANNEL 700V 1.8 OHM4.6A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19985 | STB5NC90Z-1 | N-CHANNEL 900V 2.1 OHM4.6A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19986 | STB60N03L-10 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19987 | STB60N06-14 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
19988 | STB60N06-14 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19989 | STB60NE03L-10 | N - EIGENSCHAFT GRÖSSE ] Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE?OWER Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19990 | STB60NE03L-10 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19991 | STB60NE03L-12 | N - FÜHRUNG 30V - 0.009 Ohm - 60A - D 2 PAK "EINZELNE EIGENSCHAFT GRÖSSE" ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19992 | STB60NE03L-12 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
19993 | STB60NE06-16 | N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19994 | STB60NE06-16 | N-CHANNEL 60V - 0.013 OHM - 60A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19995 | STB60NE06L-16 | N - FÜHRUNG 60V - 0.014 Ohm - 60A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19996 | STB60NE06L-16 | N-CHANNEL 60V - 0.014 OMH - 60A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19997 | STB60NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 60A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
19998 | STB60NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 60A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
19999 | STB60NF06 | N-CHANNEL 60V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
20000 | STB60NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
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