| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1029881 | Q62702-F1490 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de baja potencia en paginador móvil de los sistemas de comunicación en las corrientes de colector de 0.2mA a 2.5mA) | Siemens |
| 1029882 | Q62702-F1491 | Ruido bajo del)For del transistor del RF del silicio de NPN, amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector a partir de 0,5 mA a 12mA) | Siemens |
| 1029883 | Q62702-F1492 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029884 | Q62702-F1493 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en la corriente de colector a partir de 2 mA a 30mA) | Siemens |
| 1029885 | Q62702-F1494 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, amplificadores de baja potencia en sistemas de comunicación móviles | Siemens |
| 1029886 | Q62702-F1498 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1029887 | Q62702-F1500 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de baja potencia en paginador móvil de los sistemas de comunicación en las corrientes de colector a partir de la 0,2 a 2.5mA) | Siemens |
| 1029888 | Q62702-F1501 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 0.5mA a 12mA) | Siemens |
| 1029889 | Q62702-F1502 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029890 | Q62702-F1503 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector a partir de 2 mA a 30 mA) | Siemens |
| 1029891 | Q62702-F1504 | Transistor del RF del silicio de NPN para (el ruido bajos, amplificadores de baja potencia en sistemas de comunicación móviles) | Siemens |
| 1029892 | Q62702-F1510 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029893 | Q62702-F1519 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los moduladores y los amplificadores en sintonizadores de la TV y del VCR) | Siemens |
| 1029894 | Q62702-F1520 | Transistor del RF del silicio de NPN (especialmente conveniente para los sintonizadores TV-sentados y DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 1029895 | Q62702-F1531 | Transistor del RF del silicio de NPN para (el ruido bajos, amplificadores de baja potencia en sistemas de comunicación móviles) | Siemens |
| 1029896 | Q62702-F1549 | Hemt de AlGaAs/de InGaAs (aumento muy alto muy bajo del ruido para los amplificadores bajos del extremo delantero del ruido hasta 20 gigahertz para de DBS los convertidores abajo) | Siemens |
| 1029897 | Q62702-F1559 | Hemt de AlGaAs/de InGaAs (aumento muy alto muy bajo del ruido para los amplificadores bajos del extremo delantero del ruido hasta 20 gigahertz para de DBS los convertidores abajo) | Siemens |
| 1029898 | Q62702-F1568 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los usos del oscilador del VHF) | Siemens |
| 1029899 | Q62702-F1571 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los usos de banda ancha lineares del amplificador hasta conductor del filtro de la SIERRA 500MHz en sintonizadores de la TV) | Siemens |
| 1029900 | Q62702-F1572 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el amplificador de banda ancha de poco ruido, high-gain en las corrientes de colector a partir de la 0,5 a 12 mA) | Siemens |
| 1029901 | Q62702-F1573 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha de poco ruido, high-gain en las corrientes de colector de 1mA a 20mA.) | Siemens |
| 1029902 | Q62702-F1574 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el amplificador de banda ancha de poco ruido, high-gain en la corriente del colector de 2mA a 28mA) | Siemens |
| 1029903 | Q62702-F1575 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el amplificador de energía en sistemas de DECT y de PCN) | Siemens |
| 1029904 | Q62702-F1576 | Ruido bajo del RF Transistor(For del silicio de NPN, amplificadores de banda ancha de la distorsión baja en antena y telecomunicaciones) | Siemens |
| 1029905 | Q62702-F1577 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores high-gain hasta 2GHz para los amplificadores de banda ancha lineares) | Siemens |
| 1029906 | Q62702-F1582 | Transistor del RF del silicio de PNP (para los osciladores, el mezclador y las etapas uno mismo-oscilantes del mezclador en el TV-sintonizador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 1029907 | Q62702-F1586 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (transistor del Corto-canal con alto factor de calidad de S/C) | Siemens |
| 1029908 | Q62702-F1587 | TETRODO del MOSFET del N-canal del SILICIO (para la entrada de poco ruido, ganar-controlada efectúa hasta 1 gigahertz) | Siemens |
| 1029909 | Q62702-F1590 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de energía medios) | Siemens |
| 1029910 | Q62702-F1591 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores bajos del ruido del alto aumento para los osciladores hasta 10 gigahertz) | Siemens |
| 1029911 | Q62702-F1592 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los usos actuales bajos para los osciladores hasta 12 gigahertz) | Siemens |
| 1029912 | Q62702-F1594 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector a partir de 2 mA a 28 mA) | Siemens |
| 1029913 | Q62702-F1601 | Transistor del RF del silicio de NPN (para el ruido bajo, los amplificadores de banda ancha high-gain en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029914 | Q62702-F1611 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de poco ruido hasta 2GHz en las corrientes de colector a partir de 0,5 mA a 20 mA.) | Siemens |
| 1029915 | Q62702-F1613 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, el alto aumento controló etapas de la entrada hasta red diagonal estabilizada integrada V del voltaje de funcionamiento del 1GHz 9 | Siemens |
| 1029916 | Q62702-F1627 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1029917 | Q62702-F1628 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal integrada 9V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
| 1029918 | Q62702-F1645 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha hasta 1GHz en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029919 | Q62702-F1645 | Transistor del RF del silicio de NPN (para los amplificadores de banda ancha hasta 1GHz en las corrientes de colector de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029920 | Q62702-F1665 | Tetrodo del MOSFET del N-Canal del silicio (para el ruido bajo, la entrada controlada del alto aumento efectúa hasta red diagonal estabilizada integrada 5V del voltaje de funcionamiento del 1GHz) | Siemens |
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