| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1164241 | STD3PS25-1 | P-canal 250V - 2,1 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De Á DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164242 | STD3PS25T4 | P-canal 250V - 2,1 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De Á DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164243 | STD40NE03L | N-canal 30V - 0,012 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A To-252 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1164244 | STD40NE03L | N - CANAL 30V - 0,012 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 40A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164245 | STD40NF02L | N-canal 20V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164246 | STD40NF02L | N-canal 20V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164247 | STD40NF02L | N-canal 20V - 0,01 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 40A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164248 | STD40NF03L | N-canal 30V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164249 | STD40NF03L | N-canal 30V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164250 | STD40NF03L | N - CANAL 30V - 0,012 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 40A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164251 | STD40NF03LT4 | N-canal 30V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164252 | STD40NF06 | N-canal 60V - 0,024 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164253 | STD40NF06LZ | El N-canal 60V - 0,020 OHMIOS - 40A DPAK Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164254 | STD40NF06LZ | El N-canal 60V - 0,020 OHMIOS - 40A DPAK Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164255 | STD40NF06LZT4 | El N-canal 60V - 0,020 OHMIOS - 40A DPAK Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164256 | STD40NF06T4 | N-canal 60V - 0,024 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 40A DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164257 | STD40NF10 | Canal N 100 V, 0.025 Ohm, 50 A DPAK cargo bajo puerta STripFET (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164258 | STD40NF3LL | N-canal 30V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164259 | STD40NF3LL | N-canal 30V - 0,0095 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 40A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164260 | STD40NF3LL | N-canal 30V - 0,0095 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 40A DPAK ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164261 | STD40NF3LLT4 | N-canal 30V - 0,009 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 40A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164262 | STD44N4LF6 | N-canal 40 V, 8.9 mOhm, 44 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164263 | STD45N10F7 | Canal N 100 V, 0.013 Ohm tip., 45 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1164264 | STD45NF03L | N-canal 30V - 0,011 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 4Ä DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1164265 | STD45NF03L | N - CANAL 30V - 0,011 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 4Ä DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164266 | STD45NF75 | N-canal 75V - Mosfet de la ENERGÍA De 0,018 OHMIOS -40A DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164267 | STD45NF75T4 | N-canal 75V - Mosfet de la ENERGÍA De 0,018 OHMIOS -40A DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1164268 | STD4A60S | Triac Sensibles De la Puerta | SemiWell Semiconductor |
| 1164269 | STD4A60S | Triac Sensibles De la Puerta | SemiWell Semiconductor |
| 1164270 | STD4A60S | Triac Sensibles De la Puerta | SemiWell Semiconductor |
| 1164271 | STD4N20 | N-canal 200V - 1,2 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De  DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164272 | STD4N20-1 | N-canal 200V - 1,2 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De  DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164273 | STD4N25 | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164274 | STD4N25-1 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | ST Microelectronics |
| 1164275 | STD4N25-1 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164276 | STD4N52K3 | Canal N 525 V, 2.5 A, 2.1 Ohm tip., SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1164277 | STD4N62K3 | Canal N 620 V, 1.7 Ohm tip., 3.8 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1164278 | STD4N80K5 | Canal N 800 V, 2.1 Ohm tip., Protegida por la Zener 3 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAK | ST Microelectronics |
| 1164279 | STD4NA40 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164280 | STD4NA40-1 | TRANSISTOR RÁPIDO del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | ST Microelectronics |
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