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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1164401STD70N10F4Canal N 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en DPAKST Microelectronics
1164402STD70N6F3Canal N 60 V, 8.0 mOhm, 70 A DPAKST Microelectronics
1164403STD70NH02LN-canal 24V - Los 0.006ÒHM - 60A - Mosfet De la ENERGÍA De DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164404STD70NH02L-1N-canal 24V - Los 0.006ÒHM - 60A - Mosfet De la ENERGÍA De DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164405STD70NH02LT4N-canal 24V - Los 0.006ÒHM - 60A - Mosfet De la ENERGÍA De DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164406STD70NS04ZLN-canal 40V, DPAK, MOSFET de potenciaST Microelectronics
1164407STD75N3LLH6N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFETST Microelectronics
1164408STD790ATRANSISTOR ACTUAL MEDIO DE LA BAJA TENSIÓN PNP DEL ALTO RENDIMIENTOST Microelectronics
1164409STD790AT4TRANSISTOR ACTUAL MEDIO DE LA BAJA TENSIÓN PNP DEL ALTO RENDIMIENTOST Microelectronics
1164410STD7ANM60NCanal N 600 V, 5 A, 0.84 Ohm tip., MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1164411STD7N52DK3Canal N 525 V, 0,95 Ohm tip., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164412STD7N52K3Canal N 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, DPAK SuperMESH3 (TM) MOSFETST Microelectronics
1164413STD7N60M2Canal N 600 V, 0,86 Ohm tip., 5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1164414STD7N65M2Canal N 650 V, 0,96 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET en un paquete DPAKST Microelectronics
1164415STD7N80K5Canal N 800 V, 0,95 Ohm tip., Protegida por la Zener 6 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAKST Microelectronics
1164416STD7NB20Mosfet del OHMIO 7A DPAK/IPAK POWERMESH Del N-canal 200V 0,3ST Microelectronics
1164417STD7NB20N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANALSGS Thomson Microelectronics
1164418STD7NB20-1Mosfet del OHMIO 7A DPAK/IPAK POWERMESH Del N-canal 200V 0,3ST Microelectronics
1164419STD7NB20T4Mosfet del OHMIO 7A DPAK/IPAK POWERMESH Del N-canal 200V 0,3ST Microelectronics



1164420STD7NK40Mosfet Zener-Protegido TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164421STD7NK40Mosfet Zener-Protegido TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164422STD7NK40Mosfet Zener-Protegido TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164423STD7NK40ZEl N-canal 400V - 0,85 OHMIOS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHST Microelectronics
1164424STD7NK40Z-1El N-canal 400V - 0,85 OHMIOS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHST Microelectronics
1164425STD7NK40ZT4El N-canal 400V - 0,85 OHMIOS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHST Microelectronics
1164426STD7NM60NCanal N 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete DPAKST Microelectronics
1164427STD7NM64NCanal N 640 V, 5 A, 0.88 Ohm tip. MDmesh (TM) II Power MOSFET en un paquete DPAKST Microelectronics
1164428STD7NM80Canal N 800 V, 0,95 Ohm, 6.5 A MDmesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164429STD7NM80-1Canal N 800 V, 0,95 Ohm, 6.5 A MDmesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete IPAKST Microelectronics
1164430STD7NS20N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK/IPAKST Microelectronics
1164431STD7NS20N - CANAL 200V - 0,35 Ohmios - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164432STD7NS20-1N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK/IPAKST Microelectronics
1164433STD7NS20T4N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK/IPAKST Microelectronics
1164434STD80Introducción De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80Samsung Electronic
1164435STD80Contenido De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80Samsung Electronic
1164436STD80Características De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80Samsung Electronic
1164437STD80N10F7Canal N 100 V, 0,0085 Ohm tip., 70 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164438STD80N4F6Automotive grado de canal N 40 V, 5.5 mOhm tip., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164439STD80N6F6Automotive grado de canal N 60 V, 4.4 mOhm tip., 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en un paquete DPAKST Microelectronics
1164440STD815CP40Par de transistores complementarios en un solo paqueteST Microelectronics
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