Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1164401 | STD70N10F4 | Canal N 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en DPAK | ST Microelectronics |
1164402 | STD70N6F3 | Canal N 60 V, 8.0 mOhm, 70 A DPAK | ST Microelectronics |
1164403 | STD70NH02L | N-canal 24V - Los 0.006ÒHM - 60A - Mosfet De la ENERGÍA De DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1164404 | STD70NH02L-1 | N-canal 24V - Los 0.006ÒHM - 60A - Mosfet De la ENERGÍA De DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1164405 | STD70NH02LT4 | N-canal 24V - Los 0.006ÒHM - 60A - Mosfet De la ENERGÍA De DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1164406 | STD70NS04ZL | N-canal 40V, DPAK, MOSFET de potencia | ST Microelectronics |
1164407 | STD75N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
1164408 | STD790A | TRANSISTOR ACTUAL MEDIO DE LA BAJA TENSIÓN PNP DEL ALTO RENDIMIENTO | ST Microelectronics |
1164409 | STD790AT4 | TRANSISTOR ACTUAL MEDIO DE LA BAJA TENSIÓN PNP DEL ALTO RENDIMIENTO | ST Microelectronics |
1164410 | STD7ANM60N | Canal N 600 V, 5 A, 0.84 Ohm tip., MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164411 | STD7N52DK3 | Canal N 525 V, 0,95 Ohm tip., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164412 | STD7N52K3 | Canal N 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, DPAK SuperMESH3 (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
1164413 | STD7N60M2 | Canal N 600 V, 0,86 Ohm tip., 5 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164414 | STD7N65M2 | Canal N 650 V, 0,96 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164415 | STD7N80K5 | Canal N 800 V, 0,95 Ohm tip., Protegida por la Zener 6 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164416 | STD7NB20 | Mosfet del OHMIO 7A DPAK/IPAK POWERMESH Del N-canal 200V 0,3 | ST Microelectronics |
1164417 | STD7NB20 | N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1164418 | STD7NB20-1 | Mosfet del OHMIO 7A DPAK/IPAK POWERMESH Del N-canal 200V 0,3 | ST Microelectronics |
1164419 | STD7NB20T4 | Mosfet del OHMIO 7A DPAK/IPAK POWERMESH Del N-canal 200V 0,3 | ST Microelectronics |
1164420 | STD7NK40 | Mosfet Zener-Protegido TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
1164421 | STD7NK40 | Mosfet Zener-Protegido TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
1164422 | STD7NK40 | Mosfet Zener-Protegido TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
1164423 | STD7NK40Z | El N-canal 400V - 0,85 OHMIOS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
1164424 | STD7NK40Z-1 | El N-canal 400V - 0,85 OHMIOS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
1164425 | STD7NK40ZT4 | El N-canal 400V - 0,85 OHMIOS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
1164426 | STD7NM60N | Canal N 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh (TM) II Power MOSFET en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164427 | STD7NM64N | Canal N 640 V, 5 A, 0.88 Ohm tip. MDmesh (TM) II Power MOSFET en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164428 | STD7NM80 | Canal N 800 V, 0,95 Ohm, 6.5 A MDmesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164429 | STD7NM80-1 | Canal N 800 V, 0,95 Ohm, 6.5 A MDmesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete IPAK | ST Microelectronics |
1164430 | STD7NS20 | N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
1164431 | STD7NS20 | N - CANAL 200V - 0,35 Ohmios - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
1164432 | STD7NS20-1 | N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
1164433 | STD7NS20T4 | N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 7A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO de DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
1164434 | STD80 | Introducción De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80 | Samsung Electronic |
1164435 | STD80 | Contenido De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80 | Samsung Electronic |
1164436 | STD80 | Características De la Biblioteca De Célula De Estándar De 0,5 Micrones STD80 | Samsung Electronic |
1164437 | STD80N10F7 | Canal N 100 V, 0,0085 Ohm tip., 70 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164438 | STD80N4F6 | Automotive grado de canal N 40 V, 5.5 mOhm tip., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164439 | STD80N6F6 | Automotive grado de canal N 60 V, 4.4 mOhm tip., 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164440 | STD815CP40 | Par de transistores complementarios en un solo paquete | ST Microelectronics |
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