| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1180801 | STVMOCAABA | Multimedia sobre solución coaxial ST | ST Microelectronics |
| 1180802 | STVP | ST Programador Visual para la programación ST7, STM8 y STM32 | ST Microelectronics |
| 1180803 | STVVGLNA | De uso general, de ganancia variable, bajo nivel de ruido, amplificador de RF para aplicaciones de receptor de radiodifusión | ST Microelectronics |
| 1180804 | STVVGLNAT | De uso general, de ganancia variable, bajo nivel de ruido, amplificador de RF para aplicaciones de receptor de radiodifusión | ST Microelectronics |
| 1180805 | STW10N95K5 | Canal N 950 V, 0,65 Ohm tip., Protegida por la Zener 8 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1180806 | STW10NA50 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180807 | STW10NB60 | N-canal 600V - 0,69 OHMIOS - 10A - Mosfet De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1180808 | STW10NB60 | N - CANAL 600V - Los 0.69Ohm - 10A - Mosfet De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180809 | STW10NC60 | N-canal 600V - 0,6 OHMIOS - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1180810 | STW10NC60 | N - CANAL 600V - 0.6Öhms - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180811 | STW10NC60 | N-canal 600V - 0,6 OHMIOS - 10A - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180812 | STW10NC70Z | El N-canal 700V los 0.58OHM 10.Ã To-247 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1180813 | STW10NC70Z | El N-canal 700V los 0.ÕHM 10.Ã To-247 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180814 | STW10NK60Z | El N-canal 600V - 0,65 OHMIOS - 10A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180815 | STW10NK60Z | el OHMIO 10A Del N-canal 600V 0,65 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180816 | STW10NK80Z | El N-canal 800V - 0,78 OHMIOS - 9A To-220/to-220fp/to-247 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180817 | STW11NB80 | N-canal 800V - 0,65 OHMIOS - 11A - Mosfet De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1180818 | STW11NB80 | N-canal 800V - Los 0.6Öhm - 11A - Mosfet De T0-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180819 | STW11NK100Z | el OHMIO 8.Á To-247 Del N-canal 1000V 1,1 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180820 | STW11NK90Z | Canal N 900 V, 0,82 Ohm tip., 9,2-protegido Zener Un SuperMesh (TM) MOSFET de potencia en un paquete de To-247 | ST Microelectronics |
| 1180821 | STW11NM80 | N-canal 800 V - 0,35 OHMIOS - 11 Mosfet De A To-220/to-220fp/d2pak/to-247 MDMESH | ST Microelectronics |
| 1180822 | STW120NF10 | Canal N 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET (TM) II Power MOSFET en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1180823 | STW12N120K5 | Canal N 1200 V, 0.58 Ohm típ. 12 A Zener protegido SuperMesh (TM) 5 MOSFET de potencia en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1180824 | STW12NA50 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180825 | STW12NA50 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180826 | STW12NA50 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180827 | STW12NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1180828 | STW12NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180829 | STW12NA60 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180830 | STW12NB60 | N-canal 600V Mosfet Del 1À To-247 POWERMESH De 0,5 OHMIOS | ST Microelectronics |
| 1180831 | STW12NB60 | N-canal 600V Mosfet Del 1À To-247 POWERMESH De 0,5 OHMIOS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180832 | STW12NC60 | N-canal 600V Mosfet Del 1À To-247 POWERMESH II De 0,48 OHMIOS | ST Microelectronics |
| 1180833 | STW12NC60 | N-canal 600V - 0.48W - Mosfet Del 1À To-247 PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180834 | STW12NK80Z | El N-canal 800V - 0,65 OHMIOS - A 10,5 To-247 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180835 | STW12NK90Z | el OHMIO 11A To-247 Del N-canal 900V 0,72 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180836 | STW12NK95Z | N-canal 950V - 0,72 Ohm - 10A - TO-247 Zener Protegida-SuperMesh ™ Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180837 | STW130NS04ZB | El N-canal AFIANZÓ - Los 8mOhm - el Mosfet COMPLETAMENTE PROTEGIDO del RECUBRIMIENTO Con abrazadera del ACOPLAMIENTO De 80A To-220/to-247 | ST Microelectronics |
| 1180838 | STW13N60M2 | Canal N 600 V, 0,35 Ohm tip., 11 A MDmesh II Plus (TM) bajo Qg Power MOSFET en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1180839 | STW13N80K5 | Canal N 800 V, 0,37 Ohm típ. 12 A MDmesh K5 Power MOSFET en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1180840 | STW13N95K3 | Canal N 950 V, 0,68 Ohm tip., Protegida por la Zener 10 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en A-247 | ST Microelectronics |
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