| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 1181001 | STW50N10 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181002 | STW50N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181003 | STW50NB20 | N-canal 200V - 0,047 OHMIOS - 50A - Mosfet De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181004 | STW50NB20 | N - CANAL 200V - 0.047W - 50A - Mosfet De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181005 | STW52NK25Z | N-canal 250V-0.03Óhm-5À SuperMESH™MOSFET Zener-Protegido To-247 | ST Microelectronics |
| 1181006 | STW54NK30Z | N-canal 300V - los 0.05Òhm - 5Â To-247 | ST Microelectronics |
| 1181007 | STW54NM65ND | Canal N 650 V, 0.055 Ohm tip., 49 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) en un paquete de To-247 | ST Microelectronics |
| 1181008 | STW55NE10 | N - CANAL 100V - Los 0.021Ohm - 5Ä - Mosfet de la ENERGÍA de TO247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181009 | STW55NE10 | N-canal 100V - 0,021 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 5Ä TO247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181010 | STW55NM60N | N-canal de 600 V, 0.047 Ohm, 51 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181011 | STW55NM60ND | N-canal de 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh (TM) II Power MOSFET (con diodo rápido) | ST Microelectronics |
| 1181012 | STW56NM60N | Canal N 600 V, 0,05 Ohm, 45 A, A-247 MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181013 | STW57N65M5 | Canal N 650 V, 0.056 Ohm tip., 42 A MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1181014 | STW57N65M5-4 | N-canal de 650 V, 0.056 Ohm tip., 42 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en un paquete TO247-4 | ST Microelectronics |
| 1181015 | STW5NA100 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1181016 | STW5NA100 | N - MODO Del REALCE Del CANAL, TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181017 | STW5NA100 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181018 | STW5NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1181019 | STW5NA90 | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181020 | STW5NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181021 | STW5NB100 | N-canal 1000 - 4 OHMIOS - 4.Á - Mosfet De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181022 | STW5NB100 | N - CANAL 1000V - 4W - 4.Á - To-247, Mosfet De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181023 | STW5NB90 | N - CANAL 900V - 2,3 Ohmios - 5.Ã - Mosfet De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181024 | STW5NK100Z | N-canal 1000V - 2,7 Ohmios - 3.Ä - To-220/to-220fp/to-247 Zener-protegio' el Mosfet de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1181025 | STW60N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1181026 | STW60N10 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181027 | STW60N10 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181028 | STW60NE10 | N-canal 100V - 0,016 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 60A To-247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181029 | STW60NE10 | N - CANAL 100V - Los 0.01Õhm - Mosfet de la ENERGÍA De 60A To-247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181030 | STW60NM50N | Canal N 500 V, 0.035 Ohm tip., 68 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1181031 | STW62N65M5 | Automotive grado de canal N 650 V, 0.041 Ohm tip., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET en un paquete de To-247 | ST Microelectronics |
| 1181032 | STW62NM60N | Canal N 600 V, 0,04 Ohm tip., 65 A MDmesh (TM) II Power MOSFET en un paquete de To-247 | ST Microelectronics |
| 1181033 | STW69N65M5 | Canal N 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V MOSFET de potencia en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1181034 | STW69N65M5-4 | Canal N 650 V, 0.037 Ohm tip., 58 A MDmesh (TM) V Power MOSFET en paquete TO247-4 | ST Microelectronics |
| 1181035 | STW6N120K3 | Canal N 1200 V, 1,95 Ohm, protegido con Zener 6 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1181036 | STW6N95K5 | Canal N 950 V, 1 Ohm tip., Protegida por la Zener 9 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en A-247 paquete | ST Microelectronics |
| 1181037 | STW6NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 1181038 | STW6NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181039 | STW6NA80 | N - CANAL 800V - 1,8 Ohmios - 5. - To-247/isowatt218 AYUNA TRANSISTOR del MOS de la ENERGÍA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181040 | STW6NA90 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
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