Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1181081 | STW80NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 80A To-247 Del N-canal 100V 0,012 | SGS Thomson Microelectronics |
1181082 | STW80NF12 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal 120v-0.01óhm-80a To-220/to-247/to-220fp/d2pak STRIPFET II | ST Microelectronics |
1181083 | STW80NF55-06 | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A To-247 STRIPFET II Del N-canal 55V 0,005 | ST Microelectronics |
1181084 | STW80NF55-06 | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A To-247 STRIPFET II Del N-canal 55V 0,005 | SGS Thomson Microelectronics |
1181085 | STW80NF55-08 | N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-247 STRIPFET | ST Microelectronics |
1181086 | STW81101 | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181087 | STW81101AT | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181088 | STW81101ATR | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181089 | STW81102 | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181090 | STW81102AT | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181091 | STW81103 | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181092 | STW81103AT | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181093 | STW81103ATR | Multi-banda de RF con sintetizador de frecuencia integrado VCO | ST Microelectronics |
1181094 | STW81200 | Banda Ancha Frac-Entero-N integrada Sintetizador | ST Microelectronics |
1181095 | STW81200T | Banda Ancha Frac-Entero-N integrada Sintetizador | ST Microelectronics |
1181096 | STW81200TR | Banda Ancha Frac-Entero-N integrada Sintetizador | ST Microelectronics |
1181097 | STW82100B | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181098 | STW82100BTR | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181099 | STW82101B | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181100 | STW82101BTR | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181101 | STW82102B | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181102 | STW82102BTR | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181103 | STW82103B | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181104 | STW82103BTR | Convertidor de RF hacia abajo con incrustado sintetizador de número entero N- | ST Microelectronics |
1181105 | STW88N65M5 | Canal N 650 V, 0.024 Ohm tip., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET en A-247 paquete | ST Microelectronics |
1181106 | STW8NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1181107 | STW8NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1181108 | STW8NA60 | N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1181109 | STW8NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1181110 | STW8NA80 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1181111 | STW8NA80 | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1181112 | STW8NB100 | N-canal 1000V - 1,3 OHMIOS - 7.Á - Mosfet De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
1181113 | STW8NB100 | N - CANAL 1000V - 1.2W - Å - To-247, Mosfet De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1181114 | STW8NB80 | N - CANAL 800V - 1,2 Ohmios - 7.Ä - Mosfet De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1181115 | STW8NB80 | N-canal 800V - 1,2 OHMIOS - 7A - Mosfet De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
1181116 | STW8NB90 | N-canal 900V - 1,1 OHMIOS - Å - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
1181117 | STW8NB90 | N-canal 900V - 1,1 OHMIOS - Å - Mosfet De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1181118 | STW8NB90 | N - CANAL 900V - 1,1 Ohmios - Å - Mosfet De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1181119 | STW8NC70Z | el OHMIO 7A To-247 Del N-canal 700V 1,1 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | ST Microelectronics |
1181120 | STW8NC70Z | el OHMIO 7A To-247 Del N-canal 700V 1,1 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |