Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
252161 | BC850BW | Transistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
252162 | BC850BW | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
252163 | BC850BW | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
252164 | BC850C | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
252165 | BC850C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
252166 | BC850C | Transistores de fines generales - paquete SOT23 | Infineon |
252167 | BC850C | Transistores del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
252168 | BC850C | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
252169 | BC850C | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC860C Complementaria | Continental Device India Limited |
252170 | BC850C | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
252171 | BC850C | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
252172 | BC850C-Z2G | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
252173 | BC850C-Z2G | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
252174 | BC850C-Z2G | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
252175 | BC850C-Z2G | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
252176 | BC850C-Z2G | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
252177 | BC850C-Z2G | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
252178 | BC850CL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
252179 | BC850CLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
252180 | BC850CLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
252181 | BC850CLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
252182 | BC850CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
252183 | BC850CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
252184 | BC850CMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
252185 | BC850CT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
252186 | BC850CT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
252187 | BC850CW | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
252188 | BC850CW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
252189 | BC850CW | Transistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
252190 | BC850CW | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
252191 | BC850CW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
252192 | BC850W | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
252193 | BC850W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
252194 | BC850W | Transistores del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
252195 | BC856 | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
252196 | BC856 | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
252197 | BC856 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
252198 | BC856 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
252199 | BC856 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | Vishay |
252200 | BC856 | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| | | |