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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
252161BC850BWTransistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto)Siemens
252162BC850BWMontaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
252163BC850BWNPN de propósito generalNXP Semiconductors
252164BC850CTransistores de los fines generales de NPNPhilips
252165BC850CTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
252166BC850CTransistores de fines generales - paquete SOT23Infineon
252167BC850CTransistores del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y aumento actual de los usos del conductor el alto)Siemens
252168BC850CNPN de propósito generalNXP Semiconductors
252169BC850CPropósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC860C ComplementariaContinental Device India Limited
252170BC850CSuperficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxialesDiotec Elektronische
252171BC850CTransistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutaciónKorea Electronics (KEC)
252172BC850C-Z2GTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
252173BC850C-Z2GSILICIO DE SOT23 NPN PLANARZetex Semiconductors
252174BC850C-Z2GTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
252175BC850C-Z2GTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
252176BC850C-Z2GSILICIO DE SOT23 NPN PLANARZetex Semiconductors
252177BC850C-Z2GTRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNUnknow
252178BC850CLTransistor De fines generalesON Semiconductor



252179BC850CLT1Silicio De fines generales De Transistors(PNP)Leshan Radio Company
252180BC850CLT1EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
252181BC850CLT1Transistor De fines generalesON Semiconductor
252182BC850CLT1GSilicio De fines generales De Transistors(PNP)ON Semiconductor
252183BC850CLT1GSilicio De fines generales De Transistors(PNP)ON Semiconductor
252184BC850CMTFTransistor Epitaxial Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
252185BC850CTTransistores del Af Del Silicio de NPNInfineon
252186BC850CTTransistores del Af Del Silicio de NPNInfineon
252187BC850CWTransistores de los fines generales de NPNPhilips
252188BC850CWTransistores de fines generales - paquete SOT323Infineon
252189BC850CWTransistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto)Siemens
252190BC850CWNPN de propósito generalNXP Semiconductors
252191BC850CWSuperficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxialesDiotec Elektronische
252192BC850WTransistores de los fines generales de NPNPhilips
252193BC850WMontaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-EpitaxialDiotec Elektronische
252194BC850WTransistores del Af Del Silicio de PNPInfineon
252195BC856Transistores de los fines generales de PNPPhilips
252196BC856Transistores de los fines generales de PNPPhilips
252197BC856Transistor Epitaxial Del Silicio de PNPFairchild Semiconductor
252198BC856Transistor De fines generalesKorea Electronics (KEC)
252199BC856Transistores Pequeños De la Señal (PNP)Vishay
252200BC856TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
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