| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252001 | BC848C-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252002 | BC848C-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 6V, yo C = 0.1A | Comchip Technology |
| 252003 | BC848C-MR | Cantidad de carrete 500 Ancho de cinta de 8 mm SOT-23 Transistores | Fairchild Semiconductor |
| 252004 | BC848C-Z1L | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252005 | BC848C-Z1L | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252006 | BC848C-Z1L | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252007 | BC848C-Z1L | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252008 | BC848C-Z1L | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252009 | BC848C-Z1L | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252010 | BC848CDW1 | Transistores De fines generales Duales | ON Semiconductor |
| 252011 | BC848CDW1T1 | Transistores De fines generales Duales | ON Semiconductor |
| 252012 | BC848CDW1T1 | 30 V, el transistor de doble propósito general | Leshan Radio Company |
| 252013 | BC848CDXV6 | Transistor De fines generales de NPN | ON Semiconductor |
| 252014 | BC848CDXV6T1 | Transistor De fines generales de NPN | ON Semiconductor |
| 252015 | BC848CDXV6T5 | Transistor De fines generales de NPN | ON Semiconductor |
| 252016 | BC848CF | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252017 | BC848CL | Transistor SSP NPN | ON Semiconductor |
| 252018 | BC848CLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252019 | BC848CLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252020 | BC848CLT1 | Transistor SSP NPN | ON Semiconductor |
| 252021 | BC848CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252022 | BC848CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252023 | BC848CLT3 | Transistores para aplicaciones generales NPN | ON Semiconductor |
| 252024 | BC848CMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252025 | BC848CPDW1T1 | Los Fines generales Duales Transistors(NPN/PNP Se doblan) | ON Semiconductor |
| 252026 | BC848CPDW1T1 | Los Fines generales Duales Transistors(NPN/PNP Se doblan) | ON Semiconductor |
| 252027 | BC848CQ-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252028 | BC848CT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252029 | BC848CT | Transistor NPN PEQUEÑA SEÑAL EN SOT23 | Diodes |
| 252030 | BC848CW | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252031 | BC848CW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252032 | BC848CW | Transistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252033 | BC848CW | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
| 252034 | BC848CW | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252035 | BC848CW | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252036 | BC848CW-7-F | Transistores bipolares | Diodes |
| 252037 | BC848CW-G | Pequeña señal Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 5V, yo C = 0.1A | Comchip Technology |
| 252038 | BC848CWT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252039 | BC848CWT1 | EL CASO 419-02, LABRA 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252040 | BC848CWT1 | Transistores De fines generales | ON Semiconductor |
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