| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 252081 | BC849B-2B | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252082 | BC849BL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252083 | BC849BLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252084 | BC849BLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252085 | BC849BLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252086 | BC849BLT3 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252087 | BC849BMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252088 | BC849BT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252089 | BC849BT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
| 252090 | BC849BW | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252091 | BC849BW | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252092 | BC849BW | Transistor del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y voltaje bajo de la saturación del collector-emitter del aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252093 | BC849BW | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252094 | BC849BW | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252095 | BC849C | Transistores de los fines generales de NPN | Philips |
| 252096 | BC849C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252097 | BC849C | Transistores Pequeños De la Señal (NPN) | General Semiconductor |
| 252098 | BC849C | Transistores de fines generales - paquete SOT323 | Infineon |
| 252099 | BC849C | SILICIO DE LOS FINES GENERALES TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 252100 | BC849C | Transistores del AF del silicio de NPN (para las etapas de la entrada del AF y aumento actual de los usos del conductor el alto) | Siemens |
| 252101 | BC849C | Transistores, & del Rf; Af | Vishay |
| 252102 | BC849C | NPN de propósito general | NXP Semiconductors |
| 252103 | BC849C | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC859C Complementaria | Continental Device India Limited |
| 252104 | BC849C | Superficie PlanarTransistors montaje Si-epitaxiales | Diotec Elektronische |
| 252105 | BC849C | Transistor NPN de propósito general y aplicaciones de conmutación | Korea Electronics (KEC) |
| 252106 | BC849C-2C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252107 | BC849C-2C | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252108 | BC849C-2C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252109 | BC849C-2C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252110 | BC849C-2C | SILICIO DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252111 | BC849C-2C | TRANSISTORES DE FINES GENERALES PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252112 | BC849CL | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252113 | BC849CLT1 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252114 | BC849CLT1 | EL CASO 318-08, LABRA 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252115 | BC849CLT1 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252116 | BC849CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252117 | BC849CLT1G | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252118 | BC849CLT3 | Transistor De fines generales | ON Semiconductor |
| 252119 | BC849CMTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252120 | BC849CT | Transistores del Af Del Silicio de NPN | Infineon |
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