| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 254001 | BCR199 | Transistor De Digital Del Silicio de PNP | Infineon |
| 254002 | BCR199F | Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tsfp-3 | Infineon |
| 254003 | BCR199FE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 47; R2 = - kOhm | Infineon |
| 254004 | BCR199L3 | Transistor De Digital Del Silicio de PNP | Infineon |
| 254005 | BCR199L3E6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254006 | BCR199T | Solos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75 | Infineon |
| 254007 | BCR199TE6327 | Transistores Digital - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254008 | BCR19PN | Transistores Digital - paquete SOT363 | Infineon |
| 254009 | BCR1AM | Conducir-Monte Voltios Ampere/400-600 Del Triac 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254010 | BCR1AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254011 | BCR1AM-12 | TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254012 | BCR1AM-12 | Conducir-Monte Voltios Ampere/400-600 Del Triac 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254013 | BCR1AM-8 | TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN DEL USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254014 | BCR1AM-8 | Conducir-Monte Voltios Ampere/400-600 Del Triac 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254015 | BCR20A | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254016 | BCR20AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254017 | BCR20AM | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254018 | BCR20AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254019 | BCR20AM-12 | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254020 | BCR20AM-12L | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254021 | BCR20AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254022 | BCR20AM-8 | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254023 | BCR20AM-8L | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254024 | BCR20B | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254025 | BCR20B-10 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254026 | BCR20B-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254027 | BCR20C | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254028 | BCR20C-10 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254029 | BCR20C-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254030 | BCR20E | USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254031 | BCR20KM | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254032 | BCR22 | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación/circuito del inversor/de interfaz/circuito de impulsión) | Siemens |
| 254033 | BCR22PN | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito de impulsión) | Siemens |
| 254034 | BCR22PN | Transistores Incorporados Duales del Af Del Resistor; NPN/PNP; Tipos industriales de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50V | Infineon |
| 254035 | BCR22PNE6327 | Transistores Digital - paquete SOT363 | Infineon |
| 254036 | BCR25A | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254037 | BCR25B | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO DE CRISTAL de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254038 | BCR2PM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254039 | BCR2PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254040 | BCR2PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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