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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
440812N1711Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
440822N1711Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 50V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
440832N1711BFines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
440842N1711STransistor de NPNMicrosemi
440852N1716Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
440862N1717Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
440872N1722Transistor de NPNMicrosemi
440882N1724Transistor de NPNMicrosemi
440892N1770ASCRsCentral Semiconductor
440902N1771ASCRsCentral Semiconductor
440912N1772ASCRsCentral Semiconductor
440922N1773ASCRsCentral Semiconductor
440932N1774ASCRsCentral Semiconductor
440942N1775ASCRsCentral Semiconductor
440952N1776ASCRsCentral Semiconductor
440962N1777ASCRsCentral Semiconductor
440972N1778ASCRsCentral Semiconductor
440982N1792SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
440992N1792V (RRM / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier



441002N1793SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441012N1793V (RRM / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441022N1794Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
441032N1794SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441042N1794V (RRM / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441052N1795Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
441062N1795SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441072N1795V (RRM / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441082N1796Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
441092N1796SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441102N1796V (RRM / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441112N1797Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
441122N1797SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441132N1797V (RRM / DRM): 300 V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441142N1798Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
441152N1798SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441162N1798V (RRM / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441172N1799Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
441182N1799SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 VoltiosPowerex Power Semiconductors
441192N1799V (RRM / DRM): 600V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase pusposeInternational Rectifier
441202N1800Rectificador Controlado Del SilicioMicrosemi
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