| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 44121 | 2N1800 | 110 Amperios Rms SCRs | International Rectifier |
| 44122 | 2N1800 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44123 | 2N1801 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44124 | 2N1801 | 110 Amperios Rms SCRs | International Rectifier |
| 44125 | 2N1802 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44126 | 2N1802 | SCR del control de la fase de 800V 70A en un paquete de To-20åd (To-83) | International Rectifier |
| 44127 | 2N1803 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44128 | 2N1803 | SCR del control de la fase de 900V 70A en un paquete de To-20åd (To-83) | International Rectifier |
| 44129 | 2N1804 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44130 | 2N1804 | SCR del control de la fase de 1000V 70A en un paquete de To-20åd (To-83) | International Rectifier |
| 44131 | 2N1805 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44132 | 2N1805 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44133 | 2N1805 | V (RRM / DRM): 600V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44134 | 2N1806 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44135 | 2N1806 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Del Control De la Fase) 600 Voltios | Powerex Power Semiconductors |
| 44136 | 2N1806 | V (RRM / DRM): 720V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44137 | 2N1807 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44138 | 2N1807 | V (RRM / DRM): 840V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44139 | 2N1839 | Transistor de propósito general | Boca Semiconductor Corporation |
| 44140 | 2N1870 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44141 | 2N1870A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44142 | 2N1871 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44143 | 2N1871A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44144 | 2N1872 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44145 | 2N1872A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44146 | 2N1873 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44147 | 2N1873A | SCRs 1,25 Amperio/Planear | Microsemi |
| 44148 | 2N1874 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44149 | 2N1874A | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44150 | 2N1889 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44151 | 2N1890 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44152 | 2N1890 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44153 | 2N1890S | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44154 | 2N1893 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL NPN | ST Microelectronics |
| 44155 | 2N1893 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44156 | 2N1893 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 44157 | 2N1893 | TIPO De alto voltaje DE FINES GENERALES | SGS Thomson Microelectronics |
| 44158 | 2N1893 | SILICIO DE FINES GENERALES DEL TRANSISTOR NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 44159 | 2N1893 | Transistor de energía medio de NPN | Philips |
| 44160 | 2N1893 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
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