| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 44201 | 2N1989 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44202 | 2N1990 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44203 | 2N1991 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44204 | 2N1991 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO39 | SemeLAB |
| 44205 | 2N2017 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44206 | 2N2023 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44207 | 2N2023 | V (RRM / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44208 | 2N2024 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44209 | 2N2024 | V (RRM / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44210 | 2N2025 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44211 | 2N2025 | V (RRM / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44212 | 2N2026 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44213 | 2N2026 | V (RRM / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44214 | 2N2027 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44215 | 2N2027 | V (RRM / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44216 | 2N2028 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44217 | 2N2028 | V (RRM / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44218 | 2N2029 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44219 | 2N2029 | V (RRM / DRM): 300 V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44220 | 2N2030 | Rectificador Controlado Del Silicio | Microsemi |
| 44221 | 2N2030 | V (RRM / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Para aplicaciones generales de control de fase puspose | International Rectifier |
| 44222 | 2N2049 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44223 | 2N2060 | NPN Se doblan Los Transistores | Microsemi |
| 44224 | 2N2060 | Transistor Pequeño Plomado De la Señal Dual | Central Semiconductor |
| 44225 | 2N2060 | NPN transistor de silicio de doble amplificador. | Motorola |
| 44226 | 2N2060(CAN) | Transistor Del Silicio NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44227 | 2N2060A | TRANSISTOR DUAL DEL AMPLIFICADOR | SemeLAB |
| 44228 | 2N2060A | Transistor Pequeño Plomado De la Señal Dual | Central Semiconductor |
| 44229 | 2N2060J | Transistor Del Silicio NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44230 | 2N2060JV | Transistor Del Silicio NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44231 | 2N2060JX | Transistor Del Silicio NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44232 | 2N2060L | NPN Se doblan Los Transistores | Microsemi |
| 44233 | 2N2060M | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 44234 | 2N2079 | Transistor De Energía Del Germanio | Semitronics |
| 44235 | 2N2079A | Transistor De Energía Del Germanio | GPD Optoelectronic Devices |
| 44236 | 2N20906A | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 44237 | 2N20907A | TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 44238 | 2N2102 | NPN PLANAR EPITAXIAL | ST Microelectronics |
| 44239 | 2N2102 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO | Micro Electronics |
| 44240 | 2N2102 | AMPLIFICADOR E INTERRUPTOR DE FINES GENERALES | SGS Thomson Microelectronics |
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