| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48601 | 2N6301 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 48602 | 2N6302 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48603 | 2N6302 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48604 | 2N6303 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48605 | 2N6304 | TRANSISTORES DE ENERGÍA BAJOS DISCRETOS DEL RF Y DE LA MICROONDA | Microsemi |
| 48606 | 2N6306 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 48607 | 2N6306 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE LA ENERGÍA DE NPN | Microsemi |
| 48608 | 2N6307 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 48609 | 2N6308 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 48610 | 2N6308 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE LA ENERGÍA DE NPN | Microsemi |
| 48611 | 2N6312 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48612 | 2N6312 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48613 | 2N6312 | TRANSISTORES DE ENERGÍA: AMPLIFICADOR DE FINES GENERALES Y USO De baja frecuencia de la CONMUTACIÓN | MOSPEC Semiconductor |
| 48614 | 2N6313 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48615 | 2N6313 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48616 | 2N6313 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48617 | 2N6314 | ENERGÍA TRANSISTORS(Ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48618 | 2N6314 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48619 | 2N6314 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48620 | 2N6315 | ENERGÍA TRANSISTORS(7.0A, 90w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48621 | 2N6315 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48622 | 2N6315 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48623 | 2N6315 | Potencia NPN transistor de silicio. 7,0 A, 60 V, 90 W. | Motorola |
| 48624 | 2N6316 | ENERGÍA TRANSISTORS(7.0A, 90w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48625 | 2N6316 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48626 | 2N6316 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48627 | 2N6316 | Potencia NPN transistor de silicio. 7,0 A, 80 V, 90 W. | Motorola |
| 48628 | 2N6317 | ENERGÍA TRANSISTORS(7.0A, 90w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48629 | 2N6317 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48630 | 2N6317 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48631 | 2N6317 | PNP de potencia de transistores de silicio. 7,0 A, 60 V, 90 W. | Motorola |
| 48632 | 2N6318 | ENERGÍA TRANSISTORS(7.0A, 90w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48633 | 2N6318 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS De la Medio-energi'a del SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48634 | 2N6318 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48635 | 2N6318 | PNP de potencia de transistores de silicio. 7,0 A, 80 V, 90 W. | Motorola |
| 48636 | 2N6322 | 200 V, 30 A NPN alta tensión / alta energía | Solid State Devices Inc |
| 48637 | 2N6324 | 200 V, 30 A NPN alta tensión / alta energía | Solid State Devices Inc |
| 48638 | 2N6328 | Transistores | SemeLAB |
| 48639 | 2N6329 | Transistor Del Silicio | Advanced Semiconductor |
| 48640 | 2N6338 | Transistor de NPN | Microsemi |
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