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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
487612N6420Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
487622N6420De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
487632N6421ENERGÍA TRANSISTORS(35W)MOSPEC Semiconductor
487642N6421TRANSISTORES de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Medio-energi'a COMPLEMENTARIABoca Semiconductor Corporation
487652N6421Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
487662N6421De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
487672N6422ENERGÍA TRANSISTORS(35W)MOSPEC Semiconductor
487682N6422TRANSISTORES de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Medio-energi'a COMPLEMENTARIABoca Semiconductor Corporation
487692N6422Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
487702N6422De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
487712N6423ENERGÍA TRANSISTORS(35W)MOSPEC Semiconductor
487722N6423TRANSISTORES de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Medio-energi'a COMPLEMENTARIABoca Semiconductor Corporation
487732N6423Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
487742N6423De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
487752N6424Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
487762N6424PNP transistor, 225V, 0.25ASemeLAB
487772N6425Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
487782N6425Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
487792N6426Transistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor



487802N6426Transistor Pequeño Plomado Darlington De la SeñalCentral Semiconductor
487812N6426Señal Pequeña Darlington NPNON Semiconductor
487822N6426-DSilicio De los Transistores NPN De DarlingtonON Semiconductor
487832N6426RLRASeñal Pequeña Darlington NPNON Semiconductor
487842N6426_D26ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487852N6426_D74ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487862N6427Transistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487872N6427Transistor de NPN DarlingtonPhilips
487882N6427Transistor Pequeño Plomado Darlington De la SeñalCentral Semiconductor
487892N6427Señal Pequeña Darlington NPNON Semiconductor
487902N6427TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DARLINGTON DE NPNSamsung Electronic
487912N6427RLRASeñal Pequeña Darlington NPNON Semiconductor
487922N6427_D26ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487932N6427_D27ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487942N6427_D75ZTransistor de NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487952N6428Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
487962N6428TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
487972N6428Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW.USHA India LTD
487982N6428ATRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
487992N6428ATransistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 60V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW.USHA India LTD
488002N6430Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
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